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更新時(shí)間：2025-02-11 14:42:05瀏覽次數(shù)：1603評(píng)價(jià)
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少子壽命測(cè)試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)
用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。
特點(diǎn) ：
◇ 壽命范圍：20 ns至100 ms（樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm）
◇ SEMI標(biāo)準(zhǔn)：PV9-1110
◇ 測(cè)試速度：線掃描 < 30 s；完整的面掃秒 < 5 min
◇ 同時(shí)測(cè)量：壽命μPCD/MDP（QSS）和電阻率
◇ 自動(dòng)幾何形狀識(shí)別： G12、M10晶磚和晶圓片
應(yīng)用 :
◇ 壽命 & 電阻率面掃描
◇ 晶體生長(zhǎng)監(jiān)控（即滑移線）
◇ 污染監(jiān)測(cè)
◇ 氧條紋/OSF環(huán)
◇ P 型摻雜硅的鐵面掃描圖
◇ 發(fā)射極層的方阻
◇ 更多…
技術(shù)規(guī)格 :
| 材料 | 單晶硅 |
| 晶錠尺寸 | 125 x 125至210 x 210 mm2，晶磚長(zhǎng)850 mm或更長(zhǎng) |
| 晶圓尺寸 | 直徑可達(dá)300 mm |
| 電阻率范圍 | 0.5 – 5 ohm cm。根據(jù)要求提供其他范圍 |
| 導(dǎo)電類別 | p/n |
| 可測(cè)量的參數(shù) | 壽命-μPCD/MDP（QSS）、光電導(dǎo)率、電阻率等 |
| 默認(rèn)激光器 | IR激光二極管（980 nm，不超過(guò)500 mW）和IR激光二極管（905 nm，不超過(guò)9000 mW）?？筛鶕?jù)要求提供其他波長(zhǎng) |
| 電腦 | Windows 11或新版本、.NET Framework更新、2個(gè)以太網(wǎng)端口 |
| 電力要求 | 100 – 250 V AC, 6 A |
| 尺寸（寬*高*長(zhǎng)） | 2560 × 1910 × 1440 mm |
| 重量 | 約200 kg |
| 認(rèn)證 | 根據(jù)ISO 9001準(zhǔn)則制造，符合CE要求 |
直拉硅單晶硅錠中的滑移線
含有大量缺陷的準(zhǔn)單晶硅錠的壽命測(cè)量
MDP studio - 操作和評(píng)估軟件 ：
用戶友好且*的操作軟件具有：
◇ 導(dǎo)入和導(dǎo)出功能
◇ 帶有操作員的用戶結(jié)構(gòu)
◇ 所有執(zhí)行的測(cè)量概覽
◇ 樣品參數(shù)輸出
◇ 單點(diǎn)測(cè)量（例如：注入濃度相關(guān)的測(cè)量）
◇ 面掃描
◇ 測(cè)試配方
◇ 分析功能包
◇ 線掃描和單點(diǎn)瞬態(tài)視圖
配置選項(xiàng)：
◇ 光斑尺寸變化
◇ 電阻率測(cè)量（晶磚和晶圓片）
◇ 背景/偏置光
◇ 反射測(cè)量（MDP）
◇ LBIC
◇ P型摻雜硅中的鐵圖譜
◇ p/n檢測(cè)
◇ 條碼讀取器
◇ 自動(dòng)幾何識(shí)別
◇ 寬的激光器波長(zhǎng)范圍
少子壽命測(cè)試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+) 應(yīng)用 ：
鐵濃度測(cè)定
鐵的濃度的精確測(cè)定是非常重要的，因?yàn)殍F是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準(zhǔn)確和快速地測(cè)量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線的
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摻雜樣品的光電導(dǎo)率測(cè)量
B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應(yīng)用，但到目前為止，沒有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……
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陷阱濃度測(cè)定
陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為，也可以對(duì)太陽(yáng)能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率測(cè)量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。
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注入相關(guān)測(cè)量
少數(shù)載流子壽命強(qiáng)烈依賴于注入(過(guò)剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復(fù)合中心和俘獲中心的信息。
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遠(yuǎn)程訪問基于IP的系統(tǒng)允許在世界任何地方進(jìn)行遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持
多晶硅晶圓線掃描
HJT晶圓的壽命測(cè)量
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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