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油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)（發(fā)射420±10nm）參考價(jià)：面議
油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CsPbX3（X=Cl、Br、I），表面由疏水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，溶劑為正己烷，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

油溶性鈣鈦鈣鈦礦量子點(diǎn)發(fā)射420

2024/9/10 10:32:43591
油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)（發(fā)射400±10nm）參考價(jià)：面議
油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CsPbX3（X=Cl、Br、I），表面由疏水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，溶劑為正己烷，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

油溶性量子點(diǎn)鈣鈦礦發(fā)射400發(fā)射820

2024/9/10 10:28:26652
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射750±10nm）參考價(jià)：面議
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

油溶性InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射750發(fā)射820

2024/9/10 9:24:13620
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射700±10nm）參考價(jià)：面議
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

油溶性InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射700發(fā)射820

2024/9/10 9:17:28699
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射650±10nm）參考價(jià)：面議
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

油溶性InP/ZnSZnS量子點(diǎn)發(fā)射650發(fā)射820

2024/9/9 15:11:12614
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射620±10nm）參考價(jià)：面議
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

油溶性IInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射620發(fā)射820

2024/9/9 15:00:16596
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射600±10nm）參考價(jià)：面議
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

油溶性IZnS量子點(diǎn)InP發(fā)射600發(fā)射820

2024/9/9 14:39:47612
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射580±10nm）參考價(jià)：面議
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

油溶性InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射580發(fā)射820

2024/9/9 14:33:21618
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射550±10nm）參考價(jià)：面議
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

InP油溶性ZnS量子點(diǎn)發(fā)射550發(fā)射820

2024/9/9 14:23:35435
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射520±10nm）參考價(jià)：面議
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

油溶性ZnS量子點(diǎn)InP發(fā)射520發(fā)射820

2024/9/6 15:57:29419
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射480±10nm）參考價(jià)：面議
油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

油溶性InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射480發(fā)射820

2024/9/6 15:36:00508
油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射440±10nm）參考價(jià)：面議
油溶性ZnSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnSe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為80%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

油溶性ZnSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射440發(fā)射820

2024/9/6 15:06:44408
油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射420±10nm）參考價(jià)：面議
油溶性ZnSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnSe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為80%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

油溶性ZnSeZnS 量子點(diǎn)發(fā)射420發(fā)射820

2024/9/6 14:27:44410
油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射400±10nm）參考價(jià)：面議
油溶性ZnSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnSe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為80%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

ZnSeZnS 量子點(diǎn)油溶性發(fā)射400發(fā)射820

2024/9/6 12:39:51393
水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射820±10nm）參考價(jià)：面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)：(1)表面為負(fù)電荷的羧基，3-巰基丙酸作為包覆劑；(2)表面為負(fù)電荷的羧基，含有PEG鏈，生物相容性優(yōu)良，...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性氨基PEGCdSeTeZnS量子點(diǎn)發(fā)射820

2024/9/6 12:23:53380
水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射800±10nm）參考價(jià)：面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)：(1)表面為負(fù)電荷的羧基，3-巰基丙酸作為包覆劑；(2)表面為負(fù)電荷的羧基，含有PEG鏈，生物相容性優(yōu)良，...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性氨基PEGCdSeTe/ZnS量子點(diǎn)發(fā)射800

2024/9/6 10:58:07408
水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射760±10nm）參考價(jià)：面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)：(1)表面為負(fù)電荷的羧基，3-巰基丙酸作為包覆劑；(2)表面為負(fù)電荷的羧基，含有PEG鏈，生物相容性優(yōu)良，...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

氨基PEGCdSeTeZnS量子點(diǎn)水溶性發(fā)射760

2024/9/6 10:51:35352
水溶性3-巰基丙酸包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn),發(fā)射820±10nm 參考價(jià)：面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)：(1)表面為負(fù)電荷的羧基，3-巰基丙酸作為包覆劑；(2)表面為負(fù)電荷的羧基，含有PEG鏈，生物相容性優(yōu)良，...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

發(fā)射820ZnS量子點(diǎn)CdSeTe3-巰基丙酸水溶性

2024/9/6 10:44:11391
水溶性3-巰基丙酸包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn),發(fā)射800±10nm 參考價(jià)：面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)：(1)表面為負(fù)電荷的羧基，3-巰基丙酸作為包覆劑；(2)表面為負(fù)電荷的羧基，含有PEG鏈，生物相容性優(yōu)良，...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

3-巰基丙酸水溶性CdSeTeZnS量子點(diǎn)發(fā)射800

2024/9/6 10:03:36369
水溶性3-巰基丙酸包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)/發(fā)射760±10nm 參考價(jià)：面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)：(1)表面為負(fù)電荷的羧基，3-巰基丙酸作為包覆劑；(2)表面為負(fù)電荷的羧基，含有PEG鏈，生物相容性優(yōu)良，...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性3-巰基丙酸CdSeTeZnS量子點(diǎn)發(fā)射760

2024/9/6 9:55:12344
水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射720±10nm）參考價(jià)：面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)：(1)表面為負(fù)電荷的羧基，3-巰基丙酸作為包覆劑；(2)表面為負(fù)電荷的羧基，含有PEG鏈，生物相容性優(yōu)良，...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性氨基PEGCdSeTeZnS量子點(diǎn)發(fā)射720

2024/9/5 16:14:28351
水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射640±10nm）參考價(jià)：面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)：(1)表面為負(fù)電荷的羧基，3-巰基丙酸作為包覆劑；(2)表面為負(fù)電荷的羧基，含有PEG鏈，生物相容性優(yōu)良，...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

氨基PEG水溶性CdSeTeZnS量子點(diǎn)發(fā)射640

2024/9/5 15:45:31341
水溶性羧基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射820±10nm）參考價(jià)：面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)：(1)表面為負(fù)電荷的羧基，3-巰基丙酸作為包覆劑；(2)表面為負(fù)電荷的羧基，含有PEG鏈，生物相容性優(yōu)良，...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性羧基PEGCdSeTeCdSeTe發(fā)射820

2024/9/5 15:39:05329
水溶性羧基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射800±10nm）參考價(jià)：面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)：(1)表面為負(fù)電荷的羧基，3-巰基丙酸作為包覆劑；(2)表面為負(fù)電荷的羧基，含有PEG鏈，生物相容性優(yōu)良，...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：杭州市對(duì)比

水溶性羧基PEGCdSeTeZnS量子點(diǎn)發(fā)射800

2024/9/5 15:32:00344

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