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DB233z CLR 組件測(cè)試儀
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  • DB233z CLR 組件測(cè)試儀

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貨物所在地: 北京北京市
更新時(shí)間: 2025-02-27 08:59:23
期: 2025年2月27日--2026年2月28日
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

DB23X系列
DB230 CLR元件測(cè)試儀
DB232 CLR 元件測(cè)試儀
DB233z CLR 組件測(cè)試儀
DB236大電容測(cè)試儀

詳細(xì)介紹

DB233z CLR 組件測(cè)試儀

DB23X系列

 DB230 CLR元件測(cè)試儀

 DB232 CLR 元件測(cè)試儀

 DB233z CLR 組件測(cè)試儀

 DB236大電容測(cè)試儀

概述
電容器的交流測(cè)量

用于精確測(cè)量電容、電感和電阻參數(shù)的 Danbridge 儀器套件包括供實(shí)驗(yàn)室使用的獨(dú)立測(cè)量電橋以及用于在工業(yè)環(huán)境中快速測(cè)量大量元件的自動(dòng)系統(tǒng)。

主要應(yīng)用:

在自動(dòng)分選機(jī)中快速、精確地測(cè)試電容器。

薄膜/箔電容器測(cè)試:

薄膜/箔電容器測(cè)試通常通過(guò) 1kHz 電容測(cè)試和 100kHz tan ? 或 ESR 測(cè)試進(jìn)行。雙頻測(cè)試是一個(gè)功能,可以在不到 50 毫秒的時(shí)間內(nèi)完成,并將分選輸出發(fā)送到分選機(jī)中的箱式分選裝置。

測(cè)試薄膜/箔電容器時(shí),我們建議使用電容測(cè)試儀 DB232。該儀器或早期的 CT30 或多或少是薄膜/箔電容器自動(dòng)測(cè)試的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn),并被全球大多數(shù)最大的薄膜/箔電容器制造商所使用。

對(duì)于電容器的絕緣測(cè)試,請(qǐng)注意,快速兆歐表 DB622 是 DB232(或舊 CT30)的匹配。借助預(yù)充電和精細(xì)充電高壓電源以及多個(gè)充電站,丹橋兆歐表可以確保高速測(cè)試。

如果您使用舊的 Danbridge 電容器測(cè)試儀(例如 CT20 和 CT30),DB232 是替換它們的合理選擇。特別是DB232內(nèi)置CT30模式,可以快速、簡(jiǎn)單地更換舊的CT20和CT30元件測(cè)試儀。 
請(qǐng)注意,舊的 CT20 和 CT30 組件測(cè)試儀不再受支持。然而,通過(guò)將舊的 Danbridge 設(shè)備更換為新設(shè)備,我們可以為您提供舊儀器的回購(gòu)價(jià)格以及類(lèi)似新設(shè)備的靈活付款或租賃。

鉭電容的測(cè)試:

鉭電容器或大型薄膜/箔電容器通常使用高電容測(cè)試儀 DB236 進(jìn)行測(cè)試。該儀器除了具有 DB232 的功能外,還可以進(jìn)行阻抗測(cè)試,例如 @ 10kHz 或 100kHz。

陶瓷電容器的測(cè)試:

陶瓷電容器根據(jù)電容值需要以1kHz或1MHz進(jìn)行測(cè)試。電容測(cè)試儀 DB230 在 1kHz 時(shí)表現(xiàn)出出色的性能,是市場(chǎng)上最快的電容測(cè)試儀之一,測(cè)試速度在 1MHz 時(shí)低至 6ms,包括排序輸出。
因此,DB230 非常適合利用當(dāng)今 SMT 分選機(jī)的高速特性,從而通過(guò)為您提供高品質(zhì)電容器的高產(chǎn)量來(lái)確保高投資回報(bào)。

其他 CLR 應(yīng)用程序的示例:

電容器的一般測(cè)試、變壓器和線圈的測(cè)量、DB233z“取放"機(jī)器中的無(wú)源元件測(cè)試、電纜測(cè)試、電容式麥克風(fēng)測(cè)試以及繞線功率電阻器中的電阻和電感。

關(guān)鍵特點(diǎn)

測(cè)量頻率:100kHz、10kHz、1kHz 和 100Hz
總體精度優(yōu)于 0.05%,損耗因數(shù)優(yōu)于2 x 10 -4
外部橋接模塊,用于儀器和橋接模塊之間的長(zhǎng)電纜(3m 或 118 英寸)
測(cè)量電纜:1m 或 39.3 英寸(標(biāo)配)
輸入保護(hù)可防止 2 焦耳至 1kV 的充電電容器。此功能可以通過(guò)可選的保護(hù)盒 PB11 進(jìn)行擴(kuò)展
內(nèi)置接觸檢查功能確保與設(shè)備的接觸良好,額外2-6 ms0
高測(cè)量速度:從觸發(fā)到測(cè)量結(jié)束20至180ms
測(cè)量范圍:0.1pF 至 3mF,具體取決于頻率
100kHz 時(shí)測(cè)量高達(dá) 9μF (0.2%)
內(nèi)部偏置電壓:發(fā)電機(jī)端子上高達(dá) ±3V DC,以 0.1V 步長(zhǎng)設(shè)置
外部偏置電壓:高達(dá) ±48V DC 平均值:1 至 99 次測(cè)量
顯示讀數(shù):直接或偏差電容以及損耗測(cè)量的 tan ? 或 ESR 以及 L/Q、Rs、Rp、Z

技術(shù)規(guī)格

 DB210 CLR 橋 *已停產(chǎn)

 DB230 CLR元件測(cè)試儀

 DB232 CLR 元件測(cè)試儀

 DB233z CLR 組件測(cè)試儀

 DB236大電容測(cè)試儀

應(yīng)用查找器
測(cè)試應(yīng)用:DB210   *已停產(chǎn)DB230DB232DB233zDB236DB250系統(tǒng)
自動(dòng)高速測(cè)試
 
自動(dòng)且具有成本效益




交流電容器  
直流電容器  
陶瓷電容器




電機(jī)電容器
  
鉭電容器



貼片機(jī)驗(yàn)證器



掃描儀或多次測(cè)試 - 2 x 20 夾具



實(shí)驗(yàn)室測(cè)試
  



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