PLUTO-MH國(guó)產(chǎn)等離子刻蝕機(jī)特點(diǎn)：
1.針對(duì)于對(duì)等離子體處理有嚴(yán)苛要求的場(chǎng)合中使用
2.等離子源才用頻率為13.56MHz射頻發(fā)生器，兼顧物理反應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)
3.采用500W功率電源，自動(dòng)阻抗匹配，高功率射頻發(fā)生器可應(yīng)對(duì)各種實(shí)驗(yàn)要求，保障高能量密度和高處理效率
4.高精度真空度控制，適應(yīng)各種處理需求
5.316不銹鋼腔體(或者6061鋁合金)，全不銹鋼管路和連接件，適用各種氣體(包含腐蝕性氣體)
6.4.3寸工業(yè)級(jí)觸摸屏，軟件操作方便，多種參數(shù)設(shè)置和工藝組合處理模式
7.可增加多種配件，涂覆鍍膜，電極溫度控制，等離子體強(qiáng)度控制，等離子體化學(xué)反應(yīng)等功能(如有特殊應(yīng)用，請(qǐng)咨詢銷售人員)
8.根據(jù)用戶需求，提供對(duì)應(yīng)等離子體處理方案和定制特殊用途設(shè)備
PLUTO-MH國(guó)產(chǎn)等離子刻蝕機(jī)參數(shù):
真空腔規(guī)格: 316不銹鋼腔體,直徑210mm*(深)230mm 約4L
電極：兩個(gè)自適應(yīng)平板電極，材質(zhì)T6061鋁合金(可提供特氟龍包覆無(wú)孔平板電極,適合需要雙面處理樣品)
電極尺寸：120*135mm 間距20~75mm 可調(diào)(可反轉(zhuǎn))
等離子體發(fā)生器：RF射頻發(fā)生器，頻率：13.56MHz
功率：0-500W連續(xù)可調(diào)，自動(dòng)阻抗匹配,精度1W
氣體控制：針式氣體流量閥，標(biāo)配1路氣體,全不銹鋼管道和連接件
控制方式：4.3寸工業(yè)控制觸摸屏
控制軟件功能：界面顯示實(shí)時(shí)工作狀態(tài)，
可顯示設(shè)置值與實(shí)際值，便于實(shí)時(shí)控制。
可自由設(shè)置等離子功率，通入氣體時(shí)間
多級(jí)操作權(quán)限,多種工藝參數(shù)組合控制,
全手動(dòng)控制和全自動(dòng)控制可選
保護(hù)裝置：一鍵急停保護(hù)按鈕
(如需其他功能,請(qǐng)咨詢銷售人員)
PLUTO-MH國(guó)產(chǎn)等離子刻蝕機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域:
配置不同模塊，拓展不同應(yīng)用
加熱電極模塊-溫度可控，可以加速等離子體處理速度和極大提高樣品處理的均勻性
沉積鍍膜模塊，改變表面特性：
沉積CF材料，樣品表面可以具有憎水的特性
沉積含苯材料，樣品表面起到絕緣防水的特性
沉積含有羥基的材料，提高樣品表面和其他材料的結(jié)合效果
感應(yīng)耦合模塊-感應(yīng)耦合等離子體裝置
氣體混合裝置
可以根據(jù)可以要求進(jìn)行混氣設(shè)計(jì)
氣體純化和反應(yīng)
氣體純化和使用等離子體與相關(guān)材料進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)
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