常州廢氣處理廠家

一個(gè)完整的廢氣凈化系統(tǒng)一般由五部分組成，它們是捕集污染氣體的廢氣收集裝置(集氣罩)，連接系統(tǒng)各組成部分的管道，使污染氣體得以?xún)艋膬艋b置，為氣體流動(dòng)提供動(dòng)力的通風(fēng)機(jī)，充分利用大氣擴(kuò)散稀釋能力減輕污染的煙囪。

集氣罩
污染物的捕集通常是指對(duì)設(shè)備敞口部位散發(fā)的含污染物的氣流的控制及收集。通過(guò)對(duì)污染物的有效捕集，以保證周?chē)己玫纳a(chǎn)、生活環(huán)境，盡可能使輸送及凈化的氣體量比較少，效率比較高。集氣罩是用來(lái)捕集污染物的裝置，其性能對(duì)局部排氣凈化系統(tǒng)的技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)有直接影響。

管道
管道是廢氣污染控制系統(tǒng)中*的組成部分。管道系統(tǒng)在凈化系統(tǒng)中是用來(lái)輸送氣流的，通過(guò)管道使系統(tǒng)的設(shè)備和部件連成一個(gè)整體。合理地設(shè)計(jì)、 施工和使用管道系統(tǒng)，不僅能充分發(fā)揮控制裝置的效能，而且直接關(guān)系到設(shè)計(jì)和運(yùn)轉(zhuǎn)的經(jīng)濟(jì)合理性。

凈化設(shè)備
氣體凈化設(shè)備是凈化系統(tǒng)的核心部分。當(dāng)排氣中污染物含量超過(guò)排放標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，必須*行凈化處理，達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn)后才能排入大氣。

通風(fēng)機(jī)
通風(fēng)機(jī)是凈化系統(tǒng)中氣體流動(dòng)的動(dòng)力裝置。通風(fēng)機(jī)一般都放在凈化設(shè)備后面，防止通風(fēng)機(jī)的磨損和腐蝕。

煙囪                                                                                                                                             

煙囪是凈化系統(tǒng)的排氣裝置。由于凈化后的氣體中仍然還含有一定濃度的污染物，這些污染物經(jīng)煙囪排放后在大氣中擴(kuò)散、稀釋?zhuān)K沉降到地面。為了保證地面污染物濃度不超過(guò)環(huán)境空氣質(zhì)從標(biāo)準(zhǔn)，煙囪必須具有一定的高度。 此外，為了保證廢氣凈化系統(tǒng)能夠正常運(yùn)行，根據(jù)凈化處理對(duì)象的不同，在凈化系統(tǒng)中往往增設(shè)必要的輔助設(shè)備。例如：處理高溫氣體時(shí)的冷卻裝置、余熱利用裝置，滿(mǎn)足鋼材熱脹冷縮變化的管道補(bǔ)償器，輸送易燃易爆氣體時(shí)的防爆裝置，以及用來(lái)調(diào)節(jié)系統(tǒng)風(fēng)量和壓力平衡的各種閥門(mén)，用于測(cè)量系統(tǒng)內(nèi)各種參數(shù)的測(cè)量?jī)x器、控制儀器和測(cè)孔，用于支撐和固定管道、設(shè)備的支架，用于降低風(fēng)機(jī)噪 聲的消音裝置等。

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噴淋塔設(shè)備
吸收法采用低揮發(fā)或不揮發(fā)性溶劑對(duì) VOCs進(jìn)行吸收，再利用VOCs和吸收劑物理性質(zhì)的差異進(jìn)行分離。

含VOCs的氣體自吸收塔底部進(jìn)入塔內(nèi)，在上升過(guò)程中與來(lái)自塔頂?shù)奈談┠媪鹘佑|，凈化后的氣體由塔頂排出。吸收了 VOCs的吸收劑通過(guò)熱交換器后，進(jìn)入汽提塔頂部，在溫度高于吸收溫度或壓力低于吸收壓力的條件下解吸。解吸后的吸收劑經(jīng)過(guò)溶劑冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經(jīng)過(guò)冷凝器、氣液分離器后以較純的VOCs氣體離開(kāi)汽提塔，被回收利用。該工藝適合于VOCs濃度較高、溫度較低的氣體凈化，其他情況下需要作相應(yīng)的工藝調(diào)整。

活性炭吸附設(shè)備
在用多孔性固體物質(zhì)處理流體混合物時(shí)，流體中的某一組分或某些組分可被吸表面并濃集其上，此現(xiàn)象稱(chēng)為吸附。吸附處理廢氣時(shí)，吸附的對(duì)象是氣態(tài)污染物，氣固吸附。被吸附的氣體組分稱(chēng)為吸附質(zhì)，多孔固體物質(zhì)稱(chēng)為吸附劑。

固體表面吸附了吸附質(zhì)后，一部被吸附的吸附質(zhì)可從 吸附劑表面脫離，此現(xiàn)附。而當(dāng)吸附進(jìn)行一段時(shí)間后，由于表面吸附質(zhì)的濃集，使其吸附能力明顯下降而吸附凈化的要求，此時(shí)需要采用一定的措施使 吸附劑上已吸附的吸附質(zhì)脫附，以協(xié)的吸附能力，這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為吸附劑的再生。因此在實(shí)際吸附工程中，正是利用吸附一再生一再吸附的循環(huán)過(guò)程，達(dá)到除去廢氣中污染物質(zhì)并回收廢氣中有用組分。

有機(jī)廢氣的燃燒及催化凈化設(shè)備
燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理是用過(guò)量的空氣使這些雜質(zhì)燃燒，大多數(shù)生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當(dāng)處理含 氯和含 硫的有機(jī)化合物時(shí)，燃燒生成產(chǎn)物中HCl或SO2，需要對(duì)燃燒后氣體進(jìn)一步處理。

工業(yè)有機(jī)廢氣的低溫等離子體的治理設(shè)備
等離子體就是處于電離狀態(tài)的氣體，其英文名稱(chēng)是plasma，它是由美國(guó)科學(xué) muir，于1927年在研究低氣壓下汞蒸氣中放電現(xiàn)象時(shí)命名的。等離子體由大量的子、中性原子、激發(fā)態(tài)原子、光子和自由基等組成，但電子和正離子的電荷數(shù)必須體表現(xiàn)出電中性，這就是“等離子體”的含義。等離子體具有導(dǎo)電和受電磁影響的許多方面與固體、液體和氣體不同，因此又有人把它稱(chēng)為物質(zhì)的第四種狀態(tài)。根據(jù)狀態(tài)、溫度和離子密度，等離子體通?？梢苑譃楦邷氐入x子體和低溫等離子體（包子體和冷等離子體）。其中高溫等離子體的電離度接近1，各種粒子溫度幾乎相同系處于熱力學(xué)平衡狀態(tài)，它主要應(yīng)用在受控?zé)岷朔磻?yīng)研究方面。而低溫等離子體則學(xué)非平衡狀態(tài)，各種粒子溫度并不相同。其中電子溫度( Te)≥離子溫度(Ti)，可達(dá)104K以上，而其離子和中性粒子的溫度卻可低到300～500K。一般氣體放電子體屬于低溫等離子體。

截至2013年，對(duì) 低溫等離子體的作用機(jī)理研究認(rèn)為是粒子非彈性碰撞的結(jié)果。低溫等離富含電子、離子、自由基和激發(fā)態(tài)分子，其中高能電子與氣體分子（原子）發(fā)生撞，將能量轉(zhuǎn)換成基態(tài)分子（原子）的內(nèi)能，發(fā)生激發(fā)、 離解和電離等一系列過(guò)秸處于活化狀態(tài)。一方面打開(kāi)了氣體分子鍵，生成一些單分子和固體微粒；另一力生． OH、 H2O2．等自由基和氧化性*的 O3，在這一過(guò)程中高能電子起決定性作用，離子的熱運(yùn)動(dòng)只有副作用。常壓下，氣體放電產(chǎn)生的高度非平衡等離子體中電子溫層氏度）遠(yuǎn)高于氣體溫度（室溫100℃左右）。在非平衡等離子體中可能發(fā)生各種類(lèi)型的化學(xué)反應(yīng)，主要決定于電子的平均能量、電子密度、氣體溫度、有害氣體分子濃度和≥氣體成分。這為一些需要很大活化能的反應(yīng)如大氣中難降解污染物的去除提供了另外也可以對(duì)低濃度、高流速、大風(fēng)量的含揮發(fā)性有機(jī)污染物和含硫類(lèi)污染物等進(jìn)行處理。

常見(jiàn)的產(chǎn)生等離子體的方法是氣體放電，所謂氣體放電是指通過(guò)某種機(jī)制使一電子從氣體原子或分子中電離出來(lái)，形成的氣體媒質(zhì)稱(chēng)為電離氣體，如果電離氣由外電場(chǎng)產(chǎn)生并形成傳導(dǎo)電流，這種現(xiàn)象稱(chēng)為氣體放電。根據(jù)放電產(chǎn)生的機(jī)理、氣體的壓j源性質(zhì)以及電極的幾何形狀、氣體放電等離子體主要分為以下幾種形式：①輝光放電；③ 介質(zhì)阻擋放電；④射頻放電；⑤ 微波放電。無(wú)論哪一種形式產(chǎn)生的等離子體，都需要高壓放電。容易打火產(chǎn)生危險(xiǎn)。由于對(duì)諸如氣態(tài)污染物的治理，一般要求在常壓下進(jìn)行。

5、光催化和生物凈化設(shè)備

光催化是常溫深度反應(yīng)技術(shù)。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機(jī)污染物*氧化成無(wú)毒無(wú)害的產(chǎn)物，而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術(shù)則需要在*的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要幾百度的高溫。

從理論上講，只要 半導(dǎo)體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴，該半導(dǎo)體就有可能用作光催化劑。常見(jiàn)的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對(duì)特定反應(yīng)有突出優(yōu)點(diǎn)，具體研究中可根據(jù)需要選用，如CdS半導(dǎo)體帶隙能較小，跟太陽(yáng)光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對(duì)而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物 光催化劑