深圳市三佛科技有限公司 供應 NP3415EVR-G -20V -4A  PMOS，原裝，庫存現貨熱銷

 NP3415EVR-G 參數：-20V -4A SOT-23 P溝道  MOS管/場效應管

型號：NP3415EVR-G
VDS: -20V
IDS: -4A
封裝：SOT-23
溝道：P溝道
種類：絕緣柵(MOSFET)
NP3415EVR-G原裝現貨，NP3415EVR-G優(yōu)勢熱銷

 HN3415 可以替代 NP3415EVR-G

 HN3415D采用*的溝道技術，提供優(yōu)良的RDS（開），低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作。該設備適用于負載開關或脈寬調制應用。它是防靜電的
應用：脈寬調制應用，負載開關，USB.
vds=-20V，id=-4a rds（on）<60MΩ@vgs=-2.5V rds（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD額定值：2500V hbm●高功率和電流處理能力●獲得無鉛產品●表面安裝包。

HN3415參數：-20V -4A SOT-23 P溝道  MOS管/場效應管  帶ESD靜電保護
品牌：HN
型號：HN3415D
主要參數：-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封裝：SOT-23
ESD保護：1500V
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 HN3415D廣泛運用于電源，充電頭，控制板，計算機，家電，通訊設備等產品上。

售后：免費提供樣品，和產品技術支持。
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HN3415替代：AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415。

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 絕緣柵場效應管
1、絕緣柵場效應管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應管也有兩種結構形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。
2、它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。
3、絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管為例)它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。