深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng)  20V SOT-23 P溝道MOS管，HN3415D 原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷

 HN3415D采用*的溝道技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（開(kāi)），低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作。該設(shè)備適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制應(yīng)用。它是防靜電的
應(yīng)用：脈寬調(diào)制應(yīng)用，負(fù)載開(kāi)關(guān)，USB.
vds=-20V，id=-4a rds（on）<60MΩ@vgs=-2.5V rds（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD額定值：2500V hbm●高功率和電流處理能力●獲得無(wú)鉛產(chǎn)品●表面安裝包

 HN3415參數(shù)：-20V -4A SOT-23 P溝道  MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管  帶ESD靜電保護(hù)
品牌：HN
型號(hào)：HN3415D
主要參數(shù)：-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封裝：SOT-23
ESD保護(hù)：1500V
HN3415D原裝現(xiàn)貨，HN3415D優(yōu)勢(shì)熱銷
HN3415D廣泛運(yùn)用于電源，充電頭，控制板，計(jì)算機(jī)，家電，通訊設(shè)備等產(chǎn)品上。

售后：免費(fèi)提供樣品，和產(chǎn)品技術(shù)支持。
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HN3415替代：AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管的封裝形式

MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻的作用,同時(shí)還為芯片提供電氣連接和隔離,以便MOSFET器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。按照安裝在PCB 方式來(lái)區(qū)分,MOS管封裝主要有兩大類:插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管腳穿過(guò)PCB的安裝孔焊接在PCB 上。表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB表面的焊盤(pán)上.

20V SOT-23 P溝道MOS管，HN3415D原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷