深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 30V 20A TO-252 N溝道 MOS管 HN20N03，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷

 HN20N03為低壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN20N03實(shí)際電流可以達(dá)到20A，可以滿足LED電源，充電器，快充，旅充，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。
HN20N03產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運(yùn)用于LED電源，充電器，小家電，電源，混色LED燈等電子產(chǎn)品。

 HN20N03DA 參數(shù)：30V 20A TO-252 N溝道 MOS/場(chǎng)效應(yīng)管 

品牌：HN
型號(hào)：HN20N03
VDS: 30V
IDS:  20A
封裝：TO-252
溝道：N溝道
HN20N03原裝現(xiàn)貨，HN20N03優(yōu)勢(shì)熱銷
售后：我司可以免費(fèi)提供HN20N03樣品

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 HN20N03為低壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN20N03實(shí)際電流可以達(dá)到20A，可以滿足LED電源，充電器，快充，旅充，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。
HN20N03產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運(yùn)用于LED電源，充電器，小家電，電源，混色LED燈等電子產(chǎn)品。

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理：就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng)，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。

在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng)，實(shí)際上是兩個(gè)過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時(shí)過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng)，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。

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