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| 參考價(jià) | 面議 |
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更新時(shí)間：2024-07-06 13:55:46瀏覽次數(shù)：2668評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 5萬(wàn)-10萬(wàn) |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 數(shù)字式 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 石油,交通,冶金,航天,汽車 |
任何EPOCH系列探傷儀均可用于該測(cè)試，包括EPOCH 600，EPOCH 650， EPOCH 1000和EPOCH LTC。探傷儀通常與根據(jù)產(chǎn)品厚度選擇的10 MHz或20 MHz接觸或延遲線傳感器一起使用。
Hyperier的聲阻抗不同于聚乙烯，因此聲能將從Hyperier /聚乙烯邊界反射。因?yàn)镠yperier是以極細(xì)的層狀螺紋的形式在儲(chǔ)罐的整個(gè)厚度中混合，而不是作為單個(gè)離散層出現(xiàn)，所以沒(méi)有單個(gè)邊界回波。相反，如果存在Hyperier，則大量Hyperier / PE邊界將產(chǎn)生高頻散射噪聲的模式，這在純聚乙烯中是看不到的。使用Epoch的峰值存儲(chǔ)功能可以捕獲這種散射噪聲。
使用帶有適當(dāng)帶通濾波器的10 MHz或20 MHz傳感器，將儀器范圍設(shè)置為包括試件的厚度，并設(shè)置增益，以使適當(dāng)混合的Hyperier / PE純聚乙烯參考樣品返回的回波包絡(luò)為50％當(dāng)在整個(gè)表面上掃描換能器時(shí)，會(huì)產(chǎn)生更大或更小的散射噪聲。所得的增益水平通常會(huì)很高。一旦建立了此初始設(shè)置，包含等效Hyperier混合物的儲(chǔ)罐壁將返回相同水平的散射噪聲，而如果不存在Hyperier，則散射包絡(luò)將低得多，通常約為10％。峰值記憶模式應(yīng)用于捕獲整個(gè)樣本區(qū)域的回波包絡(luò)，因?yàn)辄c(diǎn)對(duì)點(diǎn)回波會(huì)發(fā)生很大變化。在下面的示例中，一個(gè)10 MHz的V202-RM延遲線傳感器用于測(cè)試厚度約為3-4毫米（0.120英寸至0.160英寸）的罐壁。左邊的波形顯示了Hyperier樣本的散射噪聲包絡(luò)，右邊的波形顯示了缺少Hyperier的樣本所產(chǎn)生的低得多的噪聲包絡(luò)。
超級(jí)舒適，高噪音
缺少Hyperier，噪音低
請(qǐng)注意，這是一個(gè)比較測(cè)試，可驗(yàn)證Hyperier混合物的存在與否，可與用于設(shè)置的參考樣品中的混合物進(jìn)行比較。它不能精確地測(cè)量產(chǎn)品中Hyperier的百分比，但是可以快速確定由于成型工藝異常而缺少Hyperier的情況。
測(cè)試Babbitt金屬軸承襯套與鋼或青銅軸承殼之間的結(jié)合力，并測(cè)量襯套厚度。
（a）從軸承外表面進(jìn)行粘合測(cè)試OLYMPUS奧林巴斯湖北授權(quán)代理-上海玖橫儀器有限公司
如果軸承殼的外表面可觸及且與內(nèi)徑（ID）同心，則簡(jiǎn)單的步驟是從外部使用小型接觸換能器進(jìn)行測(cè)試在10 MHz至2.25 MHz的頻率范圍內(nèi)。常見(jiàn)的選擇包括V112-RM（10 MHz），V110-RM（5 MHz）和V106-RM（2.25 MHz）傳感器。如果襯里被粘合，則從殼/襯里邊界產(chǎn)生的小回波將跟隨著襯里ID的較大的回波。如果襯里松開(kāi)，則殼的內(nèi)表面只會(huì)有很大的回聲。
下面的波形顯示了使用V112-RM接觸式傳感器在17.75毫米（0.700英寸）鋼殼內(nèi)的2毫米（0.080英寸）巴比特襯套的典型響應(yīng)。在下面的波形示例中，在左側(cè)，紅色柵極中的小負(fù)向回波，然后是藍(lán)色柵極中的回波，代表一個(gè)結(jié)合狀態(tài)。在右側(cè)的波形中，紅色柵極中的負(fù)回聲要大得多，而藍(lán)色柵極中不存在回聲，則表示脫粘。
鍵合的典型波形
分離產(chǎn)生的典型波形
（b）從軸承內(nèi)表面進(jìn)行粘結(jié)測(cè)試
還可以使用小直徑延遲線換能器從ID中測(cè)試襯里結(jié)合，通常使用寬帶延遲線將其半徑倒圓以符合ID曲率，以實(shí)現(xiàn)佳耦合。頻率范圍從薄的巴比特（0.5 mm [0.020英寸]以下）的20 MHz到厚的巴比特（5 mm [0.200英寸]或更大）的2.25 MHz。常見(jiàn)選擇包括帶有弧形延遲線的V208-RM（20 MHz），V202-RM（10 MHz），V206-RB（5 MHz）和V207-RB（2.25 MHz）傳感器。該測(cè)試基于回波相位和幅度。如果將巴氏合金粘結(jié)，則襯管/殼體邊界會(huì)產(chǎn)生正極性反射。如果巴比特分離，則回波將為負(fù)值，并且明顯更大。這是由于兩種金屬的相對(duì)聲阻抗。下面的波形顯示了2 mm（0。080英寸）使用V202-RM延遲線傳感器在鋼殼內(nèi)的巴氏襯套。在左側(cè)的波形中，門中的小正回波表示結(jié)合狀態(tài)。在右側(cè)的波形中，較大的負(fù)回聲再加上多次反射表示解開(kāi)。
EPOCH 650便攜式探傷儀
鍵合的典型波形
分離產(chǎn)生的典型波形
（c）巴氏合金厚度的測(cè)量OLYMPUS奧林巴斯重慶授權(quán)代理-上海玖橫儀器有限公司
巴氏合金厚度可以從外徑或內(nèi)徑測(cè)量。厚度測(cè)量使用與鍵合測(cè)試相同的換能器，并且可以同時(shí)執(zhí)行。下面的波形顯示了根據(jù)軸承ID進(jìn)行的典型厚度測(cè)量。請(qǐng)注意，巴氏合金柔軟，因此金屬的聲速慢-對(duì)于錫基巴氏合金，通常約為3350 m / s（0.1315英寸/微秒），約為2285 m / s（0.0900英寸/微秒）。 ）用于基于鉛的巴比特。
巴氏厚度測(cè)量
有關(guān)巴氏軸承測(cè)試或任何其他超聲測(cè)試應(yīng)用的更多信息，請(qǐng)
上海玖橫儀器有限公司是一家專業(yè)從事儀器儀表研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)的企業(yè)。超聲波探傷儀：（EPOCH 600超聲探傷儀、EPOCH 6LT超聲探傷儀、EPOCH 650超聲探傷儀、EPOCH 1000超聲探傷儀、USM 36超聲探傷儀、USN 60超聲探傷儀、USM go 超聲探傷儀、Ominscan SX相控陣探傷儀、OmniScan MX2相控陣TOFD探傷儀，新款OmniScan MX3全聚焦相控陣超聲波探傷儀）；超聲波測(cè)厚儀：（27MG超聲波測(cè)厚儀、45MG超聲波測(cè)厚儀、38DL PLUS超聲波測(cè)厚儀、DM5E超聲波測(cè)厚儀、CL5超聲波測(cè)厚儀、MAGNA-MIKE 8600霍爾效應(yīng)測(cè)厚儀，ETG-100電磁高溫測(cè)厚儀）；超聲波探頭；定制相控陣探頭；渦流探傷儀：（NORTEC 600渦流探傷儀）；硬度計(jì)；
標(biāo)準(zhǔn)配置
| 儀器的輸入/輸出 | USB端口 | USB（OTG）端口 |
|---|---|---|
| RS-232端口 | 有 | |
| 視頻輸出 | 標(biāo)準(zhǔn)VGA輸出 | |
| 模擬輸出 | 1個(gè)模擬輸出（可選），可選的1 V/10 V全標(biāo)度，大4 mA | |
| 報(bào)警輸出 | 3個(gè)報(bào)警輸出，5V TTL，10 mA | |
| 觸發(fā)器I/O | 觸發(fā)器輸入為5V TTL； 觸發(fā)器輸出為5V TTL，大10 mA | |
| 編碼器輸入 | 單軸編碼器線（正交，僅適用于腐蝕模塊模式） | |
| 環(huán)境評(píng)級(jí) | IP評(píng)級(jí) | 根據(jù)IEC 60529-2004（外殼防護(hù)等級(jí)– IP規(guī)范）標(biāo)準(zhǔn)，瀏覽鍵區(qū)硬件設(shè)計(jì)符合IP67侵入保護(hù)評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，飛梭旋鈕硬件設(shè)計(jì)符合IP66侵入保護(hù)評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。 在新開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品正式投入生產(chǎn)以前，奧林巴斯要對(duì)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)進(jìn)行內(nèi)部檢驗(yàn)。這款儀器經(jīng)測(cè)試證明符合IP評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。 |
| 爆炸性氣氛 | 通過(guò)了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法511.4程序I中規(guī)定的測(cè)試，可在國(guó)家防火協(xié)會(huì)規(guī)范（NFPA 70）500節(jié)I級(jí)2分段D組中規(guī)定的爆炸性氣氛中安全操作。 | |
| 防撞擊測(cè)試 | 通過(guò)了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法516.5程序I中規(guī)定的測(cè)試，每個(gè)軸6個(gè)循環(huán)，15 g，11 ms半弦波。 | |
| 防振動(dòng)測(cè)試 | 通過(guò)了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法514.5程序I附錄C圖6中的測(cè)試，一般暴露：每軸1小時(shí)。 | |
| 工作溫度 | –10°C～50°C | |
| 電池存儲(chǔ)溫度 | 0°C～50°C | |
| 一般規(guī)格 | 外型尺寸（寬 x 高 x 厚） | 236 mm x 167 mm x 70 mm |
| 重量 | 1.6公斤，包括鋰離子電池 | |
| 鍵區(qū) | 英文、符號(hào)、日文、中文 | |
| 語(yǔ)言 | 英語(yǔ)、西班牙語(yǔ)、法語(yǔ)、德語(yǔ)、日語(yǔ)、中文、葡萄牙語(yǔ)和俄語(yǔ) | |
| 探頭接口 | BNC接口或 LEMO接口 | |
| 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) | 機(jī)載100000個(gè)ID編碼，可插拔2 GB microSD卡（標(biāo)準(zhǔn)） | |
| 電池類型 | 單個(gè)鋰離子電池，可充電，標(biāo)準(zhǔn)型 | |
| 電池供電時(shí)間 | 15小時(shí)到16小時(shí)（鋰離子） | |
| 電源要求 | AC主電源：100 VAC ～ 120 VAC、200 VAC ～ 240 VAC，50 Hz ～ 60 Hz | |
| 顯示器類型 | 全VGA（640 x 480像素）透反彩色LCD，60 Hz更新速率 | |
| 顯示屏尺寸（寬 x 高，對(duì)角線） | 117 mm x 89 mm, 146 mm | |
| 脈沖發(fā)生器 | 脈沖發(fā)生器 | 可調(diào)方波 |
| PRF | 10 Hz ～ 2000 Hz，增量為10 Hz。 | |
| 能量設(shè)置 | 100 V、200 V、300 V或400 V | |
| 脈沖寬度 | 25 ns ～ 5000 ns（0.1 MHz）范圍內(nèi)可調(diào)，利用PerfectSquare技術(shù) | |
| 阻尼 | 50、100、200、400 Ω | |
| 接收器 | 增益 | 0 dB ～ 110 dB |
| 大輸入信號(hào) | 20 V P-P | |
| 接收器輸入阻抗 | 400 Ω ± 5% | |
| 接收器帶寬 | 0.2 MHz ～ 26.5 MHz，–3 dB | |
| 數(shù)字式濾波器設(shè)置 | 30個(gè)標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字式濾波器設(shè)置 7個(gè)符合EN12668-1:2010標(biāo)準(zhǔn)的濾波設(shè)置（0.2-10 MHz、2.0-21.5 MHz、8.0-26.5 MHz、0.5-4 MHz、0.2-1.2 MHz、1.5-8.5 MHz和5-15 MHz） | |
| 檢波 | 全波、正半波、負(fù)半波、射頻波 | |
| 系統(tǒng)線性 | 水平：±0.5 % FSW | |
| 分辨率 | 0.25 % FSH，放大器精度為±1 dB | |
| 抑制 | 0 % ～ 80 %滿屏高，帶有可視警告 | |
| 波幅測(cè)量 | 0 % ～ 110 %滿屏高，分辨率為0.25 % | |
| 測(cè)量速率 | 在所有模式下，相當(dāng)于PRF | |
| 校準(zhǔn) | 自動(dòng)校準(zhǔn) | 聲速、零位偏移、 垂直聲束（一個(gè)底面回波，或回波到回波）、角度聲束（聲程或者深度） |
| 檢測(cè)模式 | 脈沖回波、雙晶或穿透 | |
| 單位 | 毫米、英寸或微秒 | |
| 范圍 | 3.36 mm to 13388 mm，5,900 m/s | |
| 聲速 | 635 m/s to 15240 m/s | |
| 零位偏移 | 0 µs ～ 750 µs | |
| 顯示延遲 | -59 mm to 13401 mm，鋼中縱波聲速 | |
| 折射角度 | 0° ～ 90°，增量為0.1°。 | |
| 閘門 | 測(cè)量閘門 | ２個(gè)*獨(dú)立的閘門，用于波幅和渡越時(shí)間（TOF）測(cè)量。 |
| 閘門起點(diǎn) | 在整個(gè)顯示范圍內(nèi)可變 | |
| 閘門寬度 | 在從閘門起點(diǎn)到顯示范圍的終點(diǎn)之間的區(qū)域內(nèi)可變 | |
| 閘門高度 | 在2 % ～ 95 %滿屏高范圍內(nèi)可變。 | |
| 報(bào)警 | 正閾值和負(fù)閾值，小深度（閘門1和閘門2） | |
| 測(cè)量 | 測(cè)量顯示位置 | 5個(gè)位置（手動(dòng)或自動(dòng)選擇） |
| 閘門（1和2） | 厚度、聲程、投射、深度、波幅、渡越時(shí)間、小/大深度、小/大波幅 | |
| 回波到回波 | 標(biāo)準(zhǔn)閘門2到閘門1，可選界面閘門跟蹤 | |
| 其它測(cè)量 | DGS/AVG的上沖值（dB）、DGS/AVG的ERS（等效反射體大?。?、AWS D1.1/D1.5的A、B、C和D值定級(jí)、抑制值、回波到參考dB值。 | |
| DAC/TCG | 標(biāo)準(zhǔn) | |
| DAC點(diǎn) | 多達(dá)50個(gè)點(diǎn)，110 dB動(dòng)態(tài)范圍 | |
| 特殊DAC模式 | 自定義DAC（多6條曲線），20 % ～ 80 %視圖 | |
| 曲面校正 | 用于角度聲束測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)外徑或棒材校正。 | |
| 腐蝕（可選） | 交叉零點(diǎn)測(cè)量算法、V聲程校正、單一回波、回波到回波，或編碼B掃描 |
軟件選項(xiàng)
• EP650-TEMPLATE (Q1400002)：模板存儲(chǔ)
• EP650-API5UE (Q1400003)：API 5UE缺陷定量
• EP650-AVERAGE (Q1400004)：波形平均
• EP650-IG (Q1400005)：界面閘門
• EP650-BEA (Q1400006)：底面回波衰減器（BEA）
• EP650-CORRSN (Q1400001)：腐蝕模塊（包含編碼B掃描）
選購(gòu)配件
• 600-BAT-L-2 (U8760058)：充電鋰離子電池
• EP4/CH (U8140055)：胸掛帶
• 600-TC (U8780294)：儲(chǔ)運(yùn)箱
• CBAS-10668-0060 (Q7790012)：RS232通訊線纜
• DSUB-HD15-6 (U8780333)：數(shù)字輸出線纜
• 600-C-VGA-5 (U8780298)：VGA輸出線纜
• MICROSD-ADP-2GB (U8779307)：2 GB microSD存儲(chǔ)卡
• 600-SC-K (U8780334)：軟便攜袋（飛梭旋鈕機(jī)型）
• 600-SC-N (U8779879)：軟便攜袋（瀏覽鍵盤機(jī)型）
• N600-EXTALM (U8780332)：外置報(bào)警蜂鳴器
• CBAS-10669-0010 (Q7790008)：B掃描小車形編碼器線纜（10英尺，還可提供其它長(zhǎng)度）
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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