Pluto-Atmos 常壓等離子涂覆鍍膜系統(tǒng)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

Pluto-Atmos是一種基于頻率為13.56MHz（射頻）等離子體技術(shù)的新型表面涂覆設(shè)備。是一種強(qiáng)大的新涂層工藝，利用大氣壓等離子體設(shè)備在任何大小或形狀的樣品上通過掃描的方式獲得均勻的涂層。Pluto-Atmos可以沉積多種材料涂層，包括碳基和硅基聚合物、玻璃、氮化硅、金屬氮化物和碳化物等。

Pluto-Atmos 常壓等離子涂覆鍍膜系統(tǒng)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

Pluto-Atmos是一種基于頻率為13.56MHz（射頻）等離子體技術(shù)的新型表面涂覆設(shè)備。

是一種強(qiáng)大的新涂層工藝，利用大氣壓等離子體設(shè)備在任何大小或形狀的樣品上通過掃描的方式獲得均勻的涂層。

Pluto-Atmos可以沉積多種材料涂層，包括碳基和硅基聚合物、玻璃、氮化硅、金屬氮化物和碳化物等。

這些涂層的厚度從50nm到3.0um不等，可用于防潮，耐磨、防腐蝕和許多其他應(yīng)用。

等離子體中的電子（不是熱量）激發(fā)反應(yīng)物進(jìn)行沉積，使涂層過程在相對(duì)較低的溫度下進(jìn)行。

薄膜生長(zhǎng)速率從0.1um/分鐘到10.0um/分鐘不等。

需要注意的是，常壓等離子體涂覆的速率比物理氣相沉積要慢。

然而，正因?yàn)樵S多材料不易蒸發(fā)或?yàn)R射，在這個(gè)時(shí)候，等離子涂層是一個(gè)比較理想的方法。

技術(shù)參數(shù)：

1.頻率：13.56MHz 射頻發(fā)生器  功率0~500W 自動(dòng)阻抗匹配電源

2.噴頭直徑40mm，有效工作面積：直徑20mm，

3.工作距離2-20mm

4.氣源壓力：2mp

5.控制：PLC+

應(yīng)用領(lǐng)域：

使用Pluto-Atmos等離子涂層的設(shè)備可以沉積許多不同的材料，通過選擇合適的活性氣體，如氧氣、氮?dú)狻錃獾?，和合適的反應(yīng)前驅(qū)體,如SiL4, AlL3, TiL4 PtL6（L表示是一個(gè)穩(wěn)定且有揮發(fā)性分子基團(tuán)）,可以得到適合的沉積物。

如果想要沉積較薄的聚合物的薄膜，可以使用一個(gè)特別設(shè)計(jì)的單體,如四甲基硅烷。

具體的需求，需要大量的實(shí)驗(yàn)來優(yōu)化設(shè)計(jì)和工藝條件。

我們可以幫助客戶在我們的實(shí)驗(yàn)室里，一起確定具體的涂料所需的工藝條件。

Pluto-Atmos涂覆系統(tǒng)為薄膜涂層提供了一種革命性的新方法。

某些新材料過去只能在昂貴的真空系統(tǒng)中生產(chǎn)，現(xiàn)在可以用低成本的手持等離子設(shè)備涂覆在幾乎任何結(jié)構(gòu)上。