 | 巨力光電（北京）科技有限公司 |
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| 參考價 | 面議 |
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn) |
更新時間：2024/07/04 16:08:50瀏覽次數(shù)：4107
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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子/電池 |
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薄膜應(yīng)力測試系統(tǒng)
薄膜應(yīng)力測試系統(tǒng)（kSA MOS Film Stress Measurement System），又名薄膜應(yīng)力計(jì)或薄膜應(yīng)力儀！
采用非接觸MOS激光技術(shù)；不但可以對樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析；并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動或掃描，從而有效的避免了外界振動對測試結(jié)果的影響；同時提高了測試的分辨率；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析；
典型用戶：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學(xué)，中國計(jì)量科學(xué)研究院等、半導(dǎo)體和微電子制造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等；
相關(guān)產(chǎn)品：
*實(shí)時原位薄膜應(yīng)力儀（kSA MOS Film Stress Tester）：同樣采用多光束MOS技術(shù)，可裝在各種真空沉積設(shè)備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），對于薄膜生長過程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實(shí)時原位測量和二維成像分析；
*薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng)（kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester）
技術(shù)參數(shù)：
kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System，kSA MOS Film Stress Mapping System;
1.XY雙向程序控制掃描平臺掃描范圍：300mm (XY)（可選）；
2.XY雙向掃描速度：up to 20mm/s；
3.XY雙向掃描平臺掃描步進(jìn)/分辨率：down to 2 μm ；
4.樣品holder兼容：50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直徑樣品；
5.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全樣品掃描；
6.成像功能：樣品表面2D曲率、應(yīng)力成像，及3D成像分析；
7.測量功能：曲率、曲率半徑、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力、Bow和翹曲等；
主要特點(diǎn)：
1.程序化控制掃描模式：單點(diǎn)掃描、選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描；
2.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力2D成像分析；
3.測量功能：薄膜應(yīng)力、翹曲、曲率半徑等；
4.支持變溫?zé)釕?yīng)力測量功能，溫度范圍-65C to 1000C；
5.薄膜殘余應(yīng)力測量；
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