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價(jià)格區(qū)間	面議	應(yīng)用領(lǐng)域	醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,電子/電池,綜合
組件類(lèi)別	其他

InGaAs光電平衡探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等特點(diǎn)，可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲低
高增益
高帶寬
結(jié)構(gòu)緊湊
內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

分布式光纖傳感
激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)
光學(xué)相干層析
光譜測(cè)量
ns 級(jí)光脈沖探測(cè)

測(cè)試結(jié)果

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)	MBD-100M-A	MBD-200M-A	MBD-300M-A	MBD-400M-A	MBD-500M-A	MBD-800M-A	MBD-1G-A	MBD-1.5G-A	MBD-2G-A	MBD-2.5G-A	單位
探測(cè)器類(lèi)型	InGaAs
波長(zhǎng)	800~1700										nm
帶寬	100M	200M	300M	400M	500M	800M	1G	1.5G	2G	2.5G	Hz
探測(cè)器響應(yīng)度	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	A/W@1550nm
跨阻增益	30K	30K	30K	10K	5K	30K	30K	30K	15K	15K	V/A
最大輸入光功率	140	140	140	420	840	140	140	140	280	280	pw
NEP	5	5	5	7	7	9	9	9	9	9	pW/Sqrt(Hz)
輸出阻抗	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	Q
輸出耦合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC	AC	AC	AC	AC	DC
供電電壓	5	5	5	5	5	12	12	12	12	12	V
供電電流	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)
光學(xué)輸入	FC/APC(自由空間光可選)
射頻輸出	SMA
外形尺寸	624725				755525						mm

InGaAs蝶形平衡探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

蝶形封裝光電平衡探測(cè)器集成了兩個(gè)匹配的超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器，采用單電源供電。可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。該探測(cè)器在兼具原模塊性能同時(shí)尺寸小、重量輕、功耗低特別適合于模塊以及系統(tǒng)集成。

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲低
高增益
高帶寬
小尺寸
單電源供電

應(yīng)用領(lǐng)域

分布式光纖傳感
激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)
光學(xué)相干層析
光譜測(cè)量
ns 級(jí)光脈沖探測(cè)

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)	DBD-100M-A	DBD-200M-A	DBD-300M-A	DBD-400M-A	DBD-500M-A	單位
探測(cè)器類(lèi)型	InGaAs
波長(zhǎng)	800~1700					nm
帶寬	100M	200M	300M	400M	500M	Hz
探測(cè)器響應(yīng)度	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	A/W@1550nm
跨阻增益	30K	30K	30K	10K	5K	V/A
共模抑制比	>30	>30	>30	>30	>30	dB
最大輸入光功率	130	130	130	390	780	pw
NEP	5	5	5	7	7	pW/Sqrt(Hz)
輸出阻抗	50	50	50	50	50	Q
輸出耦合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC
供電電壓	5	5	5	5	5	V
供電電流	0.2(max)	0.2(max)	0.2(max)	0.2(max)	0.2(max)	A
光學(xué)輸入	S MFC/APC(PM可選)
射頻輸出	MCX(Female)
外形尺寸	252210					mm

InGaAs超低噪平衡探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

UBD系系列超低噪平衡探測(cè)模塊是原MBD系系列基礎(chǔ)上升級(jí)產(chǎn)品，相比較原MBD系列在其他參數(shù)相同條件下其本底噪聲顯著降低，在相同帶寬以及增益條件下，其本底噪聲約為MBD系列模塊三分之一，因此靈敏度更高，信噪比更高。

產(chǎn)品特點(diǎn)

超低噪聲
高增益
高帶寬
結(jié)構(gòu)緊湊
內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

分布式光纖傳感
激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)
光學(xué)相干層析
光譜測(cè)量
ns 級(jí)光脈沖探測(cè)

測(cè)試結(jié)果

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)

UBD-100M-A

UBD-200M-A

UBD-300M-A

UBD-400M-A

UBD-500M-A

UBD-800M-A

UBD-1G-A

UBD-1.2G-A

UBD-1.5G-A

UBD-2G-A

UBD-2.5G-A

單位

探測(cè)器類(lèi)型

InGaAs

波長(zhǎng)

800~1700

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

800M

1.2G

300M

400M

500M

探測(cè)器響應(yīng)度

0.95

A/W@1550nm

跨阻增益

30K

20K

10K

30K

V/W

最大輸入光功率

140

210

420

140

NEP

2.5

2.9

3.1

pW/Sqrt(Hz)

共模抑制比

>30

輸出阻抗

輸出耦合方式

DC/AC

供電電壓

供電電流

0.5(max

0.5(max)

光學(xué)輸入

FC/APC(自由空間可選)

射頻輸出

SMA

外形尺寸

80*90*25

Si平衡探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Si平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等特點(diǎn)，可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲低
高增益
高帶寬
結(jié)構(gòu)緊湊
內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

光纖傳感
光纖通信
激光測(cè)距
光譜測(cè)量
ns 級(jí)光脈沖探測(cè)

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)	MBD-100M-B	MBD-200M-B	MBD-300M-B	MBD-400M-B	MBD-500M-B	MBD-1G-B	MBD-2G-B	單位
探測(cè)器類(lèi)型	Si
波長(zhǎng)	400~1100							nm
帶寬	100M	200M	300M	400M	500M	1G	2G	Hz
探測(cè)器響應(yīng)度	0.55	0.55	0.55	0.55	0.55	0.55	0.55	A/W@850nm
跨阻增益	30K	30K	30K	10K	5K	30K	15K	V/A
最大輸入光功率	240	240	240	725	1450	240	480	uW
NEP	11	11	11	14	18	20	20	pW/Sqrt(Hz)
輸出阻抗	50	50	50	50	50	50	50	Q
輸出耦合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC	AC	AC
供電電壓	5	5	5	5	5	12	12	V
供電電流	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max	0.3(max	0.3(max)	A
光學(xué)輸入	FC/APC(自由空間光可選)
射頻輸出	SMA
外形尺寸	624725							mm

InGaAs雪崩平衡探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

雪崩光電平衡探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補(bǔ)償；隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響；APD溫度補(bǔ)償提高探測(cè)模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測(cè)器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)。

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲低
高增益
內(nèi)置高壓電源
APD溫度補(bǔ)償
結(jié)構(gòu)緊湊
內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

光纖傳感
光纖通信
激光測(cè)距
光譜測(cè)量

測(cè)試結(jié)果

Si雪崩平衡探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Si雪崩平衡探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 APD 溫度補(bǔ)償；隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響；APD溫度補(bǔ)償提高探測(cè)模塊的穩(wěn)定性。

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲低
高增益
內(nèi)置高壓電源
APD溫度補(bǔ)償
結(jié)構(gòu)緊湊
內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

光纖傳感
光纖通信
激光測(cè)距
光譜測(cè)量

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)	BAP D-100M-B	BAP D-200M-B	BAP D-300M-B	BAP D-400M-B	BAP D-500M-B	BAP D-1G-B	BAP D-2G-B	單位
探測(cè)器類(lèi)型	Si
波長(zhǎng)	400~1100							nm
帶寬	100M	200M	300M	400M	500M	1G	2G	Hz
探測(cè)器響應(yīng)度	25	25	25	25	25	25	25	A/W@850mm
跨阻增益	300K	300K	300K	300K	300K	300K	300K	V/W
輸出阻抗	50	50	50	50	50	50	50
NEP	0.18	0.18	018	0.18	0.18	0.18	0.2	pW/V(Hz)
輸出耦合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC	AC	AC
供電電壓	5	5	5	5	5	12	12	V
供電電流	0.5(max)	0.5(max]	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	A
光學(xué)輸入	FC/APC(自由空間光可選)
射頻輸出	SMA
外形尺寸	809025							mm