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供貨周期	一周	應用領域	化工

V2NiSe4晶體，超導材料，拓撲絕緣體

中文名稱：V2NiSe4晶體

性質分類：金屬性，超導材料，拓撲絕緣體

禁帶寬度：0eV

合成方法：CVT

剝離難易程度：中

保存注意事項：晶體需要避開水氧保存

純度：99.9%

保存時間：1年

規(guī)格：mg

包裝：瓶裝/袋裝

V2NiSe4晶體，超導材料，拓撲絕緣體

V2NiSe4是一種由釩（V）、鎳（Ni）和硒（Se）組成的化合物，具有晶體結構和性質。

這種化合物的晶體結構包含釩、鎳和硒原子，形成了層狀結構。V2NiSe4通常是一種層狀化合物，其晶格結構可能導致一些電子和磁性質。

V2NiSe4在研究中引起了一些興趣，在磁性和電子傳輸方面。它可能表現(xiàn)出一些磁性行為和電子結構，這使得人們對其在磁性材料和電子器件中的潛在應用產生了興趣。然而，關于V2NiSe4的具體性質和潛在應用還需要更多深入的研究和探索。

晶體（crystal）是由大量微觀物質單位（原子、離子、分子等）按一定規(guī)則有序排列的結構，因此可以從結構單位的大小來研究判斷排列規(guī)則和晶體形態(tài) 。晶體按其結構粒子和作用力的不同可分為四類：離子晶體、原子晶體、分子晶體和金屬晶體。固體可分為晶體、非晶體和準晶體三大類。

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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.11.

以上文中提到的產品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。

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