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CVD二維薄膜、鉍氧硒薄膜(Bi2O2Se)

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產(chǎn)品型號

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更新時間：2024-01-30 17:30:31瀏覽次數(shù)：456次

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供貨周期 一周 應(yīng)用領(lǐng)域 化工
CVD二維薄膜、鉍氧硒薄膜(Bi2O2Se)
鉍氧硒是一種氧化鉍和硒元素組成的化合物，屬于二維材料家族。它的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)使其在光電子學(xué)和光催化等領(lǐng)域引起關(guān)注。

CVD二維薄膜、鉍氧硒薄膜(Bi2O2Se)

【基本信息】

中文名稱：鉍氧硒薄膜

英文名稱：Bi2O2Se

純度：99.9%

存儲：-20℃冷藏、密封、避光

保存時間：1年

用途：僅用于科研，不能用于人體

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CVD二維薄膜、鉍氧硒薄膜(Bi2O2Se)

【詳情描述】

鉍氧硒（Bi2O2Se）：

性質(zhì)：鉍氧硒是一種氧化鉍和硒元素組成的化合物，屬于二維材料家族。它的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)使其在光電子學(xué)和光催化等領(lǐng)域引起關(guān)注。

應(yīng)用：Bi2O2Se在光電子學(xué)、光催化和其他光電應(yīng)用中顯示出潛在應(yīng)用，例如用于光電探測器和光催化反應(yīng)。

CVD二維薄膜：

CVD（化學(xué)氣相沉積）：CVD是一種通過氣相前體在基底表面沉積薄膜的技術(shù)。在納米科技中，CVD廣泛用于制備二維材料的薄膜。

應(yīng)用：CVD生長的二維薄膜通常具有可控的厚度和晶體質(zhì)量，適用于納米電子學(xué)、光電子學(xué)、傳感器等應(yīng)用領(lǐng)域。

【推薦產(chǎn)品】

MoSe2薄膜 SOI基底

MoSe2連續(xù)膜 高阻本征硅太赫茲專用

MoSe2薄膜 硅片基底

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MoSe2薄膜 光學(xué)石英基底

以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.30.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。


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