Si雪崩單元探測器 200MHz 400-1100nm FC/APC 參考價：面議
Si雪崩單元探測器 200MHz 400-1100nm FC/APC
Si平衡探測器 2GHz 500-1100nm FC/APC 參考價：面議
Si平衡探測器 2GHz 500-1100nm FC/APC
Si平衡探測器 1GHz 500-1100nm FC/APC 參考價：面議
Si平衡探測器 1GHz 500-1100nm FC/APC
Si平衡探測器 500MHz 500-1100nm FC/APC 參考價：面議
Si平衡探測器 500MHz 500-1100nm FC/APC
Si平衡探測器 400MHz 400-1100nm FC/APC 參考價：面議
Si平衡探測器 400MHz 400-1100nm FC/APC
Si平衡探測器 100MHz 400-1100nm FC/APC 參考價：面議
Si平衡探測器 100MHz 400-1100nm FC/APC
Si平衡探測器 300MHz 400-1100nm FC/APC 參考價：面議
Si平衡探測器 300MHz 400-1100nm FC/APC
Si雪崩單元探測器 100MHz 400-1100nm FC/APC 參考價：面議
Si雪崩單元探測器 100MHz 400-1100nm FC/APC
Si雪崩單元探測器 400MHz 400-1100nm 參考價：面議
Si雪崩單元探測器 400MHz 400-1100nm
Si平衡探測器 200MHz 400-1100nm 參考價：面議
筱曉(上海)光子技術有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器空芯反諧振光纖 (纖芯35um 包層300um)
Si雪崩單元探測器 500MHz 400-1100nm 參考價：面議
筱曉(上海)光子技術有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器空芯反諧振光纖 (纖芯35um 包層300um)
Si雪崩平衡探測器 2GHz 400-1100nm 參考價：面議
筱曉(上海)光子技術有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器空芯反諧振光纖 (纖芯35um 包層300um)
硅(Si) 硅基光電探測器，帶放大，固定增益 400-1100 nm (DC-20KHZ) 參考價：面議
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硅(Si) 硅基光電探測器，帶放大，固定增益 400-1100nm (DC-5MHz) 參考價：面議
筱曉(上海)光子技術有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器
硅(Si) 硅基光電探測器，帶放大，固定增益 400-1100nm (DC-50MHz) 參考價：面議
筱曉(上海)光子技術有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器
硅(Si) 硅基光電探測器，帶放大，固定增益 400-1100nm (DC-140MHz) 參考價：面議
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硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 100MHz 參考價：面議
硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 100MHz 高速低噪聲光電平衡探測模塊集成了兩個匹配的超低噪 聲模擬PIN探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低...
145GHz光電探測器模塊(單模光纖) 參考價：面議
145GHz光電探測器模塊(單模光纖) 產品總覽該產品是為數(shù)據通信（ 1T/bs PAM），電信和微波光子應用而研發(fā)的145GHz超快光電探測器模塊。
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm 參考價：面議
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nmAPD 是具有通過施加反向電壓產生的內部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (S...
硅(Si)放大型光電探測器 320 -1100nm (DC - 200kHz) 參考價：面議
硅(Si)放大型光電探測器 320 -1100nm (DC - 200kHz)應用領域：?顯示面板檢測?LED照明頻閃分析?玩具燈閃爍頻率及功率測量?氣體分析
美國EOT - 硅光電探測器 >118 MHz 參考價：面議
美國EOT - 硅光電探測器 118 MHz：材料：Silicon 上升／下降時間：＜３ｎｓ／＜３ｎｓ； 響應度：０．５６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１１８Ｍ...
8mm大光敏面硅（Si）硅光電探測器 參考價：面議
8mm大光敏面硅（Si）硅光電探測器在反向偏置條件下工作。峰值波長在 940nm 左右,光譜探測范圍從 400nm~1100nm。
16mm四象限Si光電探測器SIQ1600 參考價：面議
16mm四象限Si光電探測器SIQ1600：器件是N型硅象限探測器，當光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時，則各個象限輸出的光電流相等。而當目標發(fā)生偏移時，由于...
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