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目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>其他光電探測(cè)器>> UPD-35-UVIR-D超快光電探測(cè)器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs

超快光電探測(cè)器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs
  • 超快光電探測(cè)器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào) UPD-35-UVIR-D
  • 廠(chǎng)商性質(zhì) 經(jīng)銷(xiāo)商
  • 所在地 上海
屬性

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>

更新時(shí)間:2024-12-06 07:40:29瀏覽次數(shù):1215評(píng)價(jià)

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產(chǎn)地類(lèi)別 進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,能源,建材/家具,電子/電池
超快光電探測(cè)器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列適合用于從直流到25GHz的空間光波形的測(cè)量。可提供檢測(cè)最短為15ps上升時(shí)間的光脈沖信號(hào),覆蓋從170至2600nm的光譜范圍

ALPHLAS UPD超快光電探測(cè)器 800-1700nm , InGaAs

ALPHLAS UPD系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列用于從直流到25GHz的空間光波形的測(cè)量??商峁z測(cè)最短為15ps上升時(shí)間的光脈沖信號(hào),覆蓋從170至2600nm的光譜范圍。所有探測(cè)器都由緊湊堅(jiān)實(shí)的過(guò)氧極化鋁外殼封裝,供電方式可以采用電池或外接電源。是可提供從170到1100 nm擴(kuò)展到紫外光譜范圍高速硅探測(cè)器商業(yè)產(chǎn)品。另一種類(lèi)型的紫外線(xiàn)敏感的InGaAs 探測(cè)器,可用于檢測(cè)從350到1700納米范圍內(nèi)的激光脈沖,因此具有最寬的光譜范圍和超高的響應(yīng)速度。

的阻抗匹配和*的微波技術(shù),確保測(cè)量的脈沖波形的保真度。用戶(hù)可以自由使用50Ω的匹配電阻,進(jìn)行最高響應(yīng)速度的檢測(cè)?;?yàn)楂@得大的信號(hào)響應(yīng)曲線(xiàn),加入高阻抗負(fù)載。保證了UPD產(chǎn)品為不同的應(yīng)用提供最大的靈活性。 結(jié)合BBA系列寬帶高增益放大器,高速光探測(cè)器對(duì)于取代昂貴和繁瑣的雪崩光電二極管是一個(gè)好的選擇。UPD的系列高速光電探測(cè)器是激光和光子學(xué)研究的 ALPHLAS UPD超快光電探測(cè)器 800-1700nm , InGaAs

的工具。
技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)

上升時(shí)間ps

帶寬GHz

光譜范圍nm

光敏面積直徑μm/mm2

暗電流nA

輸出接口

材料

UPD-15-IR2-FC

< 15

>25

800-1700

光纖, 9 µm

0.1

SMA

InGaAs

UPD-30-VSG-P

< 30

>10

320-900

200×200 / 0.04

0.1

SMA

GaAs

UPD-35-IR2-P

< 35

>10

800-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-IR2-D

< 35

>10

800-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-IR2-FR

< 35

>10

800-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-IR2-FC

< 35

>10

800-1700

光纖, 9 µm

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-UVIR-P

< 35

>10

350-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-UVIR-D

< 35

>10

350-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-40-VSI-P

< 40

>8.5

500-1690

200×200 / 0.04

5000

SMA

InGaAs

UPD-40-IR2-P

< 40

>8.5

800-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-IR2-D

< 40

>8.5

800-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-IR2-FR

< 40

>8.5

800-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-IR2-FC

< 40

>8.5

800-1700

光纖, 9 µm

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-UVIR-P

< 40

>8.5

350-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-UVIR-D

< 40

>8.5

350-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-50-SP

< 50

>7.0

320-1100

100 / 0.0079

0.001

SMA

Si

UPD-50-SD

< 50

>7.0

320-1100

100 / 0.0079

0.001

SMA

Si

UPD-50-UP

< 50

>7.0

170-1100

100 / 0.0079

0.001

SMA

Si

UPD-50-UD

< 50

>7.0

170-1100

100 / 0.0079

0.001

SMA

Si

UPD-70-IR2-P

< 70

>5.0

800-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-IR2-D

< 70

>5.0

800-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-IR2-FR

< 70

>5.0

800-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-IR2-FC

< 70

>5.0

800-1700

光纖, 9 µm

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-UVIR-P

< 70

>5.0

350-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-UVIR-D

< 70

>5.0

350-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-100-IR1-P

< 100

>3.0

400-2000

80 / 0.005

700

SMA

Ge

UPD-200-SP

< 175

>2.0

320-1100

400 / 0.126

0.001

BNC

Si

UPD-200-SD

< 175

>2.0

320-1100

400 / 0.126

0.001

BNC

Si

UPD-200-UP

< 175

>2.0

170-1100

400 / 0.126

0.001

BNC

Si

UPD-200-UD

< 175

>2.0

170-1100

400 / 0.126

0.001

BNC

Si

UPD-300-SP

< 300

>1.0

320-1100

600 / 0.283

0.01

BNC

Si

UPD-300-SD

< 300

>1.0

320-1100

600 / 0.283

0.01

BNC

Si

UPD-300-UP

< 300

>1.0

170-1100

600 / 0.283

0.01

BNC

Si

UPD-300-UD

< 300

>1.0

170-1100

600 / 0.283

0.01

BNC

Si

UPD-500-SP

< 500

>0.6

320-1100

800 / 0.5

0.01

BNC

Si

UPD-500-SD

< 500

>0.6

320-1100

800 / 0.5

0.01

BNC

Si

UPD-500-UP

< 500

>0.6

170-1100

800 / 0.5

0.01

BNC

Si

UPD-500-UD

< 500

>0.6

170-1100

800 / 0.5

0.01

BNC

Si

UPD-3N-IR2-P

< 150

>0.4

800-2100

300 / 0.07

90

BNC

InGaAs

UPD-5N-IR2-P

< 200

>0.3

800-2600

300 / 0.07

2000

BNC

InGaAs

UPD-2M-IR2-P

< 75000

>0.004

900-1700

2000 / 3.14

5

BNC

InGaAs

UPD-2M-IR2-P-1TEC

< 75000

>0.004

900-1700

2000 / 3.14

0.3

BNC

InGaAs


幾種典型產(chǎn)品光譜響應(yīng)范圍

超快光電探測(cè)器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs

產(chǎn)品特點(diǎn)

超高速運(yùn)行

上升時(shí)間:15 ps - 500ps

帶寬:最高達(dá)25 GHz

光譜范圍:170 - 2600納米

緊湊封裝

電池或外部電源

自由空間光入射或FC/PC型

接頭或光纖尾纖

通用參數(shù)

單位(mm)

超快光電探測(cè)器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs

產(chǎn)品應(yīng)用

脈沖形式測(cè)量

脈沖寬度測(cè)量

精確的同步

模式變化監(jiān)控

外差測(cè)量





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