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產(chǎn)地類別	國(guó)產(chǎn)	應(yīng)用領(lǐng)域	電子/電池,電氣,綜合

產(chǎn)品描述：

霍爾遷移率測(cè)試儀主要利用微波測(cè)試原理，非接觸式測(cè)量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的方阻、遷移率及載流子濃度?？蓪?shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，具有快速，無損，準(zhǔn)確等優(yōu)勢(shì)，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測(cè)及質(zhì)量控制。

特點(diǎn)：

霍爾遷移率測(cè)試儀適用于遷移率量測(cè)范圍在100cm2/V · s～3000cm2/V · s的射頻HEMT外延片。非接觸，非損傷測(cè)試，具有測(cè)試速度快，

重復(fù)性佳，測(cè)試敏感性高，可以直接測(cè)試產(chǎn)品片等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)參數(shù)：

規(guī)格	描述
載流子遷移率測(cè)試范圍	100~20000cm2/V·s
方塊電阻測(cè)試范圍	100-3000Ω/sq
載流子濃度	1E+11 - 1E+14
載流子遷移率動(dòng)態(tài)重復(fù)性	≤2%
載流子遷移率靜態(tài)重復(fù)性	≤1%
載流子遷移率測(cè)試準(zhǔn)確性	±10%
方塊電阻測(cè)試動(dòng)態(tài)重復(fù)性	≤2%
方塊電阻靜態(tài)重復(fù)性	≤1%
方塊電阻測(cè)試準(zhǔn)確性	±10%
測(cè)試樣品允許厚度	200-1500μm
測(cè)試樣片尺寸	2"-8"
磁感應(yīng)強(qiáng)度	1.0T可刪除可反轉(zhuǎn)
軟件功能	自動(dòng)輸出包含Mapping，二維等高線圖3D圖的報(bào)告
自動(dòng)傳送測(cè)試能力	可選配

微波-霍爾法測(cè)試半導(dǎo)體方阻及載流子遷移率的原理

霍爾遷移率測(cè)試儀

原理：

利用微波源發(fā)射微波通過波導(dǎo)將微波傳輸至測(cè)試樣品表面，在磁場(chǎng)作用下具有不同遷移率的樣品對(duì)微波的反射效果不同，通過探測(cè)反射的微波功率再將其轉(zhuǎn)化為對(duì)應(yīng)的電導(dǎo)張量，從而建立模型可以計(jì)算出HEMT 結(jié)構(gòu)的載流子濃度和遷移率。

微波-霍爾法測(cè)試半導(dǎo)體方阻核心算法相關(guān)性

對(duì)應(yīng)信號(hào)和方阻值得擬合曲線，如下圖所示：

霍爾遷移率測(cè)試儀

遷移率Mapping5點(diǎn)測(cè)試報(bào)告

報(bào)告時(shí)間	2023/08/17/11:43	測(cè)試樣本數(shù)	5
分析時(shí)間	2023/08/17/11:30	**遷移率	1852.68
操作員ID	admin	最小遷移率	1794.41
襯底設(shè)置	test	平均遷移率	1813.35
襯底厚度	500μm	標(biāo)準(zhǔn)偏差	21.3136
尺寸規(guī)格	100mm	相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差	1.1754%

霍爾遷移率測(cè)試儀

非接觸式無損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀，方阻測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，晶圓、硅片厚度測(cè)試儀，表面光電壓儀JPV\SPV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、氧化鎵、襯底和外延廠商提供測(cè)試和解決方案。

憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線，已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，并取得良好的市場(chǎng)口碑。主要應(yīng)用領(lǐng)域：碳化硅測(cè)試、氮化鎵測(cè)試、晶圓硅片測(cè)試、氧化鎵測(cè)試、襯底和外延廠商、光伏電池片測(cè)試。

霍爾遷移率（Hall mobility）是指Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱, 故特別稱為Hall遷移率。表示為μH =│RH│σ。