機(jī)械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號(hào)。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準(zhǔn)確評(píng)估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能，以推進(jìn)眾多領(lǐng)域的藥物測試和組織工程。

牽張、多電極陣列刺激記錄電生理采集分析、高分辨率成像三位一體系統(tǒng)

該細(xì)胞組織可拉伸微電極陣列刺激與成像記錄系統(tǒng)是研究人員以機(jī)械方式拉伸細(xì)胞/組織，對(duì)其進(jìn)行光學(xué)成像以及單獨(dú)/同時(shí)記錄/刺激電生理活動(dòng)的完整解決方案。

技術(shù)特點(diǎn)概述：

電極的特性：

柔性，可拉伸，軟（Flexible, Stretchable and Soft）

記錄和刺激電生理活動(dòng)（Recording and Stimulation of Electrophysiological Activity）

機(jī)械力方面強(qiáng)大：拉伸，彎曲，扭曲（Mechanically robust: stretch, bend, twist）

阻抗定量測量分析

細(xì)胞電生理活動(dòng)數(shù)據(jù)采集、及分析

允許在整個(gè)拉伸過程中對(duì)細(xì)胞進(jìn)行光學(xué)成像，以驗(yàn)證組織應(yīng)變并檢測組織中的形態(tài)變化。

2×60通道

★雙軸，單軸
★自定義應(yīng)變場
★一種快速?zèng)_動(dòng)拉伸或周期性拉伸
★高達(dá)50％的應(yīng)變
★應(yīng)變速率高達(dá)80 / s
★任何拉伸圖案
★高重復(fù)性

-細(xì)胞牽張刺激前后或刺激期間，多電極刺激、阻抗定量測量以及記錄電生理活動(dòng)數(shù)據(jù)采集記錄

MEASSURE 在創(chuàng)傷性腦損傷 (TBI) 藥物發(fā)現(xiàn)方面的優(yōu)勢