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目錄:四川梓冠光電科技有限公司>>光開關系列>>硅基高速納秒光開關模塊>> 梓冠硅基高速光開關全國供應

硅基高速光開關全國供應
  • 硅基高速光開關全國供應
  • 硅基高速光開關全國供應
  • 硅基高速光開關全國供應
  • 硅基高速光開關全國供應
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 品牌 梓冠
  • 型號 梓冠
  • 廠商性質 生產(chǎn)商
  • 所在地 綿陽市
屬性

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更新時間:2024-12-29 16:41:13瀏覽次數(shù):1374評價

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同類優(yōu)質產(chǎn)品

更多產(chǎn)品
價格區(qū)間 面議 應用領域 化工,能源,電子/電池,電氣,綜合
組件類別 光學元件 波長 1525~1565nm
封裝形式 器件
硅基高速光開關全國供應
無移動組件;
切換速度快;
極其穩(wěn)定的鎖存模式;
低功耗;
好的穩(wěn)定性和可靠性。
二、應用
高速保護;
系統(tǒng)監(jiān)控;
?測試測量。


硅基納秒高速光開關            


無移動組件;                

切換速度快;                

極其穩(wěn)定的鎖存模式;        

低功耗;                    

好的穩(wěn)定性和可靠性。

二、應用

高速保護;

系統(tǒng)監(jiān)控;

測試測量。

三、規(guī)格參數(shù)

參數(shù)

單位

范圍

波長范圍

nm

1540~1560

插入損耗

dB

直通損耗:1.8~2;

交叉損耗:1.8~2;

偏振相關損耗

dB

0.3~0.5

開關時間

ns

200~350

回波損耗

dB

40~50

串擾

dB

-20~-17

供電電壓

v

5

供電電流

mA

環(huán)境溫度≥25℃,100mA;

環(huán)境溫度≤25℃,900mA

控制信號(TTL3.3V信號)


高電平2V≤VIH≤5V;

低電平0V≤VIL≤0.8V;

光接口


FC/APC

尾纖


以松纖方式引出,帶松套管,長度1m

工作溫度

-25℃~45℃

貯存溫度(℃)

-55℃~85℃

要求:對于任意型號2×2光開關,輸入和輸出編號相同時候為直通傳輸,不同為交叉?zhèn)鬏敗?/span>

尺寸項目

尺寸值(mm)

L:長(mm)

90±0.3

W:寬(mm)

50±0.3

H:高(mm)

13.5±0.2

安裝孔間距(mm)

84.5±0.15

安裝孔間距(mm)

44.5±0.15

固定孔(4個)









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一、納秒光開關的定義
  納秒光開關是指通過激光等高速脈沖信號控制物質在極短時間內(nèi)從一個狀態(tài)轉化到另一個狀態(tài)的裝置。其優(yōu)點在于具有快速、精準、可靠等特點,常用于激光器、通信和雷達系統(tǒng)等領域。
  二、納秒光開關的原理
  1. 光學調制原理:利用非線性效應使得入射激光束變成強度與頻率不同的多條輸出波;
  2. 伏安特性:物質存在著一種結構及電子能態(tài)上有效區(qū)分兩種核心狀態(tài)之機制;
  3. 快速反應:由于采用了超短脈沖技術,導致反應快速且穩(wěn)定。
  三、納秒光開關的分類
  根據(jù)實現(xiàn)方式和結構形式可以將其分為以下幾類:
  1. 塊體型硅基互連網(wǎng)絡集成芯片(Si-photonic IC);
  2. 調寬型互補金屬氧化物半導體(CMOS)方案,包括晶體管級聯(lián)型以及集成電路(IC)相關方法;
  3. 利用微細加工技術和表面等離子體等物理學效應實現(xiàn)的納米結構光開關;
  4. 超快速激光器技術與相干控制法。
  四、納秒光開關的應用
  1. 電信領域:適合于高速網(wǎng)絡數(shù)據(jù)傳輸中對信號進行瞬間調整和處理;
  2. 光通訊領域:可用于調節(jié)和分配不同波長光,在多波長復合系統(tǒng)中具有重要意義;
  3. 全息成像及其它相關精密測量技術方面,如在超快脈沖全息成像等方面具有廣闊前景。
  五、總結
  納秒光開關作為一種集*工藝和科學技術的產(chǎn)品,正在迅速擴展到新型微流控芯片、晶體管級聯(lián)以及全自動化生產(chǎn)等多個領域,并且還有大量未被發(fā)現(xiàn)或廣泛利用的局部區(qū)域需要挖掘。 硅基高速光開關全國供應 硅基高速光開關全國供應







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