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無(wú)錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司
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車規(guī)芯片測(cè)試溫變Chiller覆蓋芯片高低溫循環(huán)場(chǎng)景測(cè)試

時(shí)間:2025/3/26閱讀:262
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  車規(guī)級(jí)芯片測(cè)試中的溫變Chiller(溫度控制冷水機(jī))是確保芯片在嚴(yán)苛溫度條件下可靠性的關(guān)鍵設(shè)備,車規(guī)芯片需在嚴(yán)苛溫度環(huán)境下保持穩(wěn)定性和可靠性,芯片測(cè)試溫變Chiller(冷熱循環(huán)測(cè)試設(shè)備)通過(guò)模擬-65℃至+150℃的嚴(yán)苛溫變場(chǎng)景,驗(yàn)證芯片的耐候性和功能完整性。


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  一、溫變Chiller技術(shù)原理

  1、核心組件與流程

  壓縮機(jī)制冷循環(huán):通過(guò)壓縮機(jī)、冷凝器、膨脹閥、蒸發(fā)器四大部件,實(shí)現(xiàn)制冷劑相變吸熱。例如,在降溫階段,壓縮機(jī)將制冷劑壓縮為高溫高壓氣體,經(jīng)冷凝器散熱后變?yōu)楦邏阂后w,再通過(guò)膨脹閥降壓為低溫低壓液體,在蒸發(fā)器中吸熱蒸發(fā),完成制冷循環(huán)。

  動(dòng)態(tài)熱管理:配備PID+模糊控制算法,結(jié)合鉑電阻或紅外傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度,反饋至控制系統(tǒng)調(diào)整壓縮機(jī)頻率和冷卻液流量,實(shí)現(xiàn)±0.1℃精度控制。

  2、雙向控溫能力

  加熱模式:集成電加熱管或熱泵系統(tǒng),在低溫測(cè)試時(shí)快速升溫,例如從-40℃恢復(fù)至25℃耗時(shí)<5分鐘。

  制冷模式:采用制冷劑,在高溫老化測(cè)試中提供-10℃~150℃寬溫區(qū)覆蓋。

  二、溫變Chiller設(shè)備特性

  動(dòng)態(tài)溫變速率:支持5~20℃/min的線性升溫/降溫,模擬車輛冷啟動(dòng)、暴曬驟冷等場(chǎng)景。

  PID閉環(huán)控制:通過(guò)傳感器實(shí)時(shí)反饋溫度數(shù)據(jù),確保測(cè)試艙內(nèi)溫度均勻性(±0.5℃以內(nèi))。

  溫度范圍:需覆蓋車規(guī)芯片標(biāo)準(zhǔn)(如AEC-Q100 Grade 0: -40℃~+150℃)及超限測(cè)試需求。

  流量與壓力:匹配芯片封裝尺寸,確保導(dǎo)熱介質(zhì)流量(如10~30 L/min)均勻覆蓋被測(cè)器件。

  多通道控制:支持多個(gè)DUT(被測(cè)設(shè)備)并行測(cè)試,提升效率。

  三、溫變Chiller高低溫循環(huán)測(cè)試場(chǎng)景覆蓋

  1、嚴(yán)苛溫度驗(yàn)證

  低溫存儲(chǔ)測(cè)試:-40℃環(huán)境下驗(yàn)證封裝材料抗脆裂性,防止引線因冷縮斷裂。

  高溫老化測(cè)試:150℃循環(huán)驗(yàn)證芯片壽命,加速失效機(jī)理顯現(xiàn)。

  2、溫度沖擊試驗(yàn)

  快速溫變:在30秒內(nèi)完成-40℃→125℃切換,模擬引擎艙瞬時(shí)熱沖擊。

  循環(huán)次數(shù):支持10萬(wàn)次以上冷熱沖擊,篩選潛在工藝缺陷。

  3、濕度耦合測(cè)試

  凝露防護(hù):在85℃環(huán)境下檢測(cè)芯片引腳抗腐蝕能力。

  濕熱循環(huán):通過(guò)溫度與濕度同步控制,評(píng)估封裝材料吸濕膨脹風(fēng)險(xiǎn)。

  三、國(guó)內(nèi)設(shè)備商解決方案

  冠亞恒溫Chiller提供-40℃~150℃全溫區(qū)覆蓋,采用雙壓縮機(jī)冗余設(shè)計(jì),支持長(zhǎng)時(shí)間可靠性驗(yàn)證。集成氟化液冷卻技術(shù),實(shí)現(xiàn)10℃/min快速溫變,適配測(cè)試。溫變Chiller快速溫變能力、智能監(jiān)控手段,系統(tǒng)性解決車規(guī)芯片高低溫循環(huán)測(cè)試需求,助力國(guó)產(chǎn)芯片通過(guò)嚴(yán)苛認(rèn)證。

  車規(guī)芯片溫變測(cè)試需綜合設(shè)備性能、場(chǎng)景仿真與標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)性,通過(guò)溫控策略和失效分析,確保芯片在復(fù)雜車載環(huán)境下的目標(biāo)。


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