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無錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司
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當前位置:無錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司>>制冷加熱控溫系統(tǒng)>>高低溫一體機>> SUNDI-625W反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置

反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置

參   考   價: 407555

訂  貨  量: ≥1 臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號SUNDI-625W

品       牌冠亞制冷

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地無錫市

更新時間:2025-01-17 08:10:46瀏覽次數(shù):654次

聯(lián)系我時,請告知來自 化工儀器網(wǎng)
產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價格區(qū)間 20萬-50萬
應用領(lǐng)域 化工,生物產(chǎn)業(yè),石油,制藥/生物制藥,綜合
【無錫冠亞】反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置,應用于對玻璃反應釜、金屬反應釜、生物反應器進行升降溫、恒溫控制,尤其適合在反應過程中有需熱、放熱過程控制。解決化學醫(yī)藥工業(yè)用準確控溫的特殊裝置,用以滿足間歇反應器溫度控制或持續(xù)不斷的工藝進程的加熱及冷卻、恒溫系統(tǒng)。

反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置


無錫冠亞冷熱一體機典型應用于:

高壓反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、雙層玻璃反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、

雙層反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、微通道反應器冷熱源恒溫控制;

小型恒溫控制系統(tǒng)、蒸飽系統(tǒng)控溫、材料低溫高溫老化測試、

組合化學冷源熱源恒溫控制、半導體設備冷卻加熱、真空室制冷加熱恒溫控制




型號

SUNDI-125

SUNDI-125W

SUNDI-135

SUNDI-135W

SUNDI-155

SUNDI-155W

SUNDI-175

SUNDI-175W

SUNDI-1A10

SUNDI-1A10W

SUNDI-1A15

SUNDI-1A15W

介質(zhì)溫度范圍

-10℃~+200℃

控制系統(tǒng)

前饋PID ,無模型自建樹算法,PLC控制器

溫控模式選擇

物料溫度控制與設備出口溫度控制模式 可自由選擇

溫差控制

設備出口溫度與反應物料溫度的溫差可控制、可設定

程序編輯

可編制5條程序,每條程序可編制40段步驟

通信協(xié)議

MODBUS RTU 協(xié)議  RS 485接口

外接入溫度反饋

PT100或4~20mA或通信給定(默認PT100)

溫度反饋

設備導熱介質(zhì) 溫度、出口溫度、反應器物料溫度(外接溫度傳感器)三點溫度

導熱介質(zhì)溫控精度

±0.5℃

反應物料溫控精度

±1℃

加熱功率 kW

2.5

3.5

5.5

7.5

10

15

制冷量 kW

200℃

2.5

3.5

5.5

7.5

10

15

20℃

2.5

3.5

5.5

7.5

10

15

-5℃

1.5

2.1

3.3

4.2

6

9

流量壓力 max

L/min bar

20

35

35

50

50

75

2

2

2

2

2

2.5

壓縮機

海立

艾默生谷輪/丹佛斯渦旋壓縮機

膨脹閥

丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥

蒸發(fā)器

丹佛斯/高力板式換熱器

操作面板

7英寸彩色觸摸屏,溫度曲線顯示、記錄

安全防護

具有自我診斷功能;冷凍機過載保護;高壓壓力開關(guān),過載繼電器、熱保護裝置等多種安全保障功能。

密閉循環(huán)系統(tǒng)

整個系統(tǒng)為全密閉系統(tǒng),高溫時不會有油霧、低溫不吸收空氣中水份,系統(tǒng)在運行中不會因為高溫使壓力上升,低溫自動補充導熱介質(zhì)。

制冷劑

R-404A/R507C

接口尺寸

G1/2

G3/4

G3/4

G1

G1

G1

水冷型 W

溫度 20度

600L/H

1.5bar~4bar

G3/8

800L/H

1.5bar~4bar

G1/2

1000L/H

1.5bar~4bar

G3/4

1200L/H

1.5bar~4bar

G3/4

1600L/H

1.5bar~4bar

G3/4

2000L/H

1.5bar~4bar

G3/4

外型尺寸(水)cm

45*65*120

50*85*130

50*85*130

55*100*175

55*100*175

70*100*175

外形尺寸 (風)cm

45*65*120

50*85*130

55*100*175

55*100*175

70*100*175

70*100*175

隔爆尺寸(風) cm

45*110*130

45*110*130

45*110*130

55*120*170

55*120*170

55*120*170

正壓防爆(水)cm

110*95*195

110*95*195

110*95*195

110*95*195

110*95*195

120*110*195

常規(guī)重量kg

115

165

185

235

280

300

電源 380V 50HZ

AC 220V 50HZ 3.6kW

5.6kW

7.5kW

10kW

13kW

20kW

選配風冷尺寸cm

/

50*68*145

50*68*145

50*68*145

/

/


 

 

 

 

  半導體生產(chǎn)過程是一個復雜且精細的工藝過程,其中溫度控制是影響產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵因素之一。接下來,冠亞制冷為您介紹半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的使用注意事項,以確保生產(chǎn)過程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量的可靠性。

  一、半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的選擇與安裝

  在選擇溫度控制裝置時,應根據(jù)半導體生產(chǎn)過程的實際需求進行選型。考慮測試環(huán)節(jié)的溫度范圍、精度要求、響應時間等因素,確保所選裝置能夠滿足生產(chǎn)過程的溫度控制需求。同時,注意選擇具有良好穩(wěn)定性和可靠性的溫度控制裝置,以保證生產(chǎn)過程的順利進行。

  在安裝半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置時,應遵循相關(guān)規(guī)范,確保裝置安裝穩(wěn)固、連接可靠。對于需要接入電源的溫度控制裝置,應使用符合要求的電源插座,并確保電源電壓穩(wěn)定,避免對裝置造成損壞。此外,安裝位置的選擇也很重要,應確保裝置遠離熱源、震動源和腐蝕性氣體,以保證其正常運行和延長使用壽命。

  二、半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的操作與維護

  在操作半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置時,應遵循設備的操作指南,按照規(guī)定的步驟進行操作。在測試前,應對裝置進行預熱和校準,以確保其準確性。在測試過程中,應密切關(guān)注溫度控制裝置的運行狀態(tài),如發(fā)現(xiàn)異常情況應及時處理。同時,應避免在裝置周圍放置雜物,以免影響其正常運行。

  對于半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的維護,應定期進行清潔和檢查。清潔時,應使用干燥的軟布擦拭裝置表面,避免使用腐蝕性清潔劑。檢查時,應關(guān)注裝置的連接是否緊固、傳感器是否損壞等。如發(fā)現(xiàn)異常情況,應及時聯(lián)系專業(yè)人員進行維修或更換。

  三、半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的安全使用

  在使用半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置時,應注意安全事項。應避免在高溫環(huán)境下長時間操作裝置,以免燙傷或引發(fā)火災等事故。其次,對于需要接觸高溫部分的操作,應佩戴防護手套和防護眼鏡等個人防護裝備,確保操作安全。

  四、半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的記錄與監(jiān)控

  為確保半導體生產(chǎn)過程的質(zhì)量追溯和數(shù)據(jù)分析,應對溫度控制裝置的使用情況進行記錄和監(jiān)控。記錄內(nèi)容包括但不限于測試時間、溫度范圍、溫度波動等關(guān)鍵參數(shù)。

總之,半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的使用注意事項涵蓋多個方面。只有遵循這些注意事項,才能確保溫度控制裝置在半導體生產(chǎn)過程中發(fā)揮作用,提高產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。




  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

TTTT反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置

反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置


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