產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 3千-6千 |
---|---|---|---|
應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,石油,能源,制藥 |
使用對象:液體、氣體和蒸氣。
參考價(jià) | 面議 |
更新時(shí)間:2024-08-26 12:56:10瀏覽次數(shù):360
聯(lián)系我們時(shí)請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
天康微差壓變送器工作原理及結(jié)構(gòu):
MEMS(微電子機(jī)械加工系統(tǒng))的系列高穩(wěn)定性單晶硅壓力傳感器,具有多項(xiàng)的性能,可廣泛應(yīng)用于石油化工,冶金電力,工業(yè)自動化、航空航天、核能等領(lǐng)域。
天康微差壓變送器主要工作原理:
主單元包括傳感器和過程連接,工作原理如下:傳感器模塊采用全焊接技術(shù),內(nèi)部擁有一個整體化的過載膜片,一個溫度傳感器和一個壓力/差壓傳感器。溫度傳感器作為溫度補(bǔ)償?shù)膮⒖贾?。壓?差壓傳感器通過隔離膜片和填充液,傳遞給壓力/差壓傳感器的硅芯片,使壓力/差壓傳感器的芯片的阻值發(fā)生變化,從而導(dǎo)致檢測系統(tǒng)輸出電壓變化。該輸出電壓與壓力變化成正比,再由適配單元和放大器轉(zhuǎn)化成一標(biāo)準(zhǔn)化信號輸出。
系列單晶硅傳感器的特性:
● 全不銹鋼316L硅油充灌焊接密封結(jié)構(gòu);
● EMC符合GB/T 18268.1-2008標(biāo)準(zhǔn)要求;
● 傳感器中心傳感單元采用的高精度單晶硅傳感器技術(shù),最高可達(dá)±0.05%級的精度;
● 傳感器內(nèi)部集成高靈敏度溫度傳感器,單晶硅傳感器受溫度影響的性能優(yōu)≤±0.04%/10K;
■ 高純度單晶硅材質(zhì)
系列單晶硅芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì),其材質(zhì)特性遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于市場上現(xiàn)有的復(fù)合硅、擴(kuò)散硅芯片。
■ 雙梁懸浮式MEMS技術(shù)
系列單晶硅芯片采用雙梁結(jié)構(gòu),雙層惠斯通電橋布局,雙橋路相互補(bǔ)償,提高信噪比,達(dá)到最佳溫度特性。中間層弧角式懸浮,有效分解應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)超高過壓。
■ 1KPa…40MPa標(biāo)準(zhǔn)量程
1KPa,4KPa,40KPa,100KPa,200KPa,400KPa,4MPa,40MPa八個標(biāo)準(zhǔn)量程,涵蓋過程控制全壓力范圍。最小標(biāo)準(zhǔn)量程1KPa,保證微差壓段性能。
■ 全球 橋路電阻:10KΩ
有效控制溫度影響,保證輸出信號超高信噪比,功耗低。
■ 具有大過載的正負(fù)壓腔過壓性能
1KPa芯片過壓達(dá)1.5MPa(1500倍過壓)。
4KPa芯片過壓達(dá)2.5MPa(625倍過壓)。
絕大部分微壓力/差壓傳感器的應(yīng)用可實(shí)現(xiàn)無保護(hù)膜片結(jié)構(gòu),提高整體準(zhǔn)確度與靜壓特性,同時(shí)簡化傳感器結(jié)構(gòu)、降低成本,讓利于用戶。
■ 芯片單晶硅層厚度達(dá)2.5mm
在硅芯片技術(shù)中,硅片的尺寸與有效硅層的厚度將對芯片的成本和性能起到很關(guān)鍵的作用。而且統(tǒng)一的傳感器芯片材質(zhì),將更好的實(shí)現(xiàn)溫度特性,讓芯片在溫度變化時(shí),應(yīng)力特性一致。采用全單晶硅材質(zhì),尺寸與厚度都為行業(yè)內(nèi)最大,不惜成本,注重品質(zhì)。
■ 芯片結(jié)構(gòu)的梅花鏡像布局
芯片惠斯通電橋與引線布局,采用梅花鏡像對稱布局。全對稱布局、均衡受力,減小噪聲來源,同時(shí)也方便一次封裝,提高穩(wěn)定性與一致性。