熱釋電探測(cè)器DPE12系列 參考價(jià)：15000
熱釋電探測(cè)器DPE12系列為常溫型中遠(yuǎn)紅外探測(cè)器，內(nèi)置前置放大器，建議配合鎖相放大器使用，推薦使用 SR830 型或 DCS500PA 型；
DPe系列熱釋電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
DPe系列熱釋電探測(cè)器為全波段響應(yīng)的探測(cè)器，實(shí)際工作波長受窗口材料限制，可根據(jù)實(shí)際需要來選擇合適的窗口。
硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
美國OSI公司（OSI Optoelectronics）是一家專業(yè)的光電產(chǎn)品生產(chǎn)商，其前身為成立于1967年的美國UDT公司（UDT Sensors），在光電產(chǎn)...
IRA系類制冷型InGaAs PDA 參考價(jià)：面議
● InGaAs有效象元數(shù)256和512可選● 光譜范圍：800-1700nm，1000-2200nm，1200-2600nm● 象元尺寸：50μm×...
iDus系列制冷型CCD和InGaAs PDA 參考價(jià)：面議
● 光譜響應(yīng)范圍：300-1000nm（200-1000nm），600-1700nm，800-2200nm● 采用AndorTM公司UltraVacTM真空封裝...
iVac制冷型CCD 參考價(jià)：面議
卓立漢光可提供多種不同種類芯片的高性能制冷型CCD 和InGaAs PDA，適用于廣闊的光譜測(cè)量應(yīng)用領(lǐng)域，給用戶提供 為多樣的產(chǎn)品選擇性
制冷型InGaAs線性陣列探測(cè)器 參考價(jià)：面議
◆ InGaAs有效象元數(shù)256和512可選◆ 象元尺寸：50µm×500µm◆ 象元間距：50µm◆ 芯片采用TE制冷...
背感光制冷型CCD探測(cè)器 參考價(jià)：面議
◆ AndorTM iDus系列DV-420A-BV型，選用科研級(jí)背感光CCD芯片◆ 光譜響應(yīng)范圍：300-1000nm◆ 采用AndorTM公司UltraVa...
常溫型線陣CCD 探測(cè)器（3648像素） 參考價(jià)：面議
卓立漢光可提供室溫型線性陣列CCD 探測(cè)器，該產(chǎn)品采用該技術(shù)“暗噪聲溫度補(bǔ)償修正"（TCDCTM）技術(shù)，可在15 ～ 30℃任意室溫下非常有效的抑制暗噪聲，得到...
常溫型線陣CCD 探測(cè)器（2048/3000像素） 參考價(jià)：面議
卓立漢光代理銷售美國Ames Photonics Inc.公司常溫型線性陣列CCD探測(cè)器，該產(chǎn)品采用該公司的技術(shù)“暗噪聲溫度補(bǔ)償修正（TCDCTM）“，可在15...
前置放大器 參考價(jià)：面議
卓立漢光提供多種低噪聲、高增益的放大器配合單通道探測(cè)器使用，主要用途是將光電探測(cè)器的輸出信號(hào)經(jīng)過轉(zhuǎn)換、放大處理后輸入至其他測(cè)試或測(cè)量設(shè)備，如數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、示波器...
熱釋電探測(cè)器（Pyroelectric） 參考價(jià)：面議
———常溫型紅外探測(cè)器，波長范圍：0.5-22um◆ DPe22為常溫型熱釋電探測(cè)器，適合經(jīng)濟(jì)型的測(cè)量，集成前置放大器，由LATGS晶體制成，仿熱電偶結(jié)構(gòu)，專門...
（HgCdTe）碲鎘汞探測(cè)器 參考價(jià)：面議
■ 碲鎘汞探測(cè)器（HgCdTe）———液氮制冷型紅外探測(cè)器，波長范圍：2~22μm。有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS兩種類型，其中：◆ DMCT(x...
銻化銦探測(cè)器 參考價(jià)：面議
■ 銻化銦探測(cè)器（InSb）———液氮制冷型紅外探測(cè)器，波長范圍：1～5.5μm 有DInSb5-De（x）和DInSb5-HS兩種類型，其中：◆ DInSb5...
砷化銦探測(cè)器 參考價(jià)：面議
■ 砷化銦探測(cè)器（InAs）———近紅外探測(cè)器波長范圍：1-3.8μm DInAs3800和DInAs3800-TE兩種型號(hào)，其中：◆ DInAs3800內(nèi)裝進(jìn)...
硫化鉛探測(cè)器 參考價(jià)：面議
■ 硫化鉛探測(cè)器（PbS）———常溫型紅外探測(cè)器,波長范圍：0.8-3.2μmDPbS2900/3200兩種型號(hào)，兩種探測(cè)器室的外觀相同（內(nèi)帶前置放大器）
銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs系列 參考價(jià)：面議
常溫型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）——室溫型近紅外探測(cè)器，使用范圍：0.8-1.7μm（2.6μm）● DInGaAs1600型內(nèi)裝國產(chǎn)小面積InGaAs元件；...
硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
DSi系列硅光電探測(cè)器 高靈敏型硅、紫外增強(qiáng)型，使用范圍：200~1100nm；
光電倍增管探測(cè)器 參考價(jià)：面議
光電倍增管探測(cè)器 高靈敏型藍(lán)敏、紅敏光電倍增管，使用范圍：185nm~900nm；推薦配合高壓穩(wěn)壓電源使用，可達(dá)到 佳的效果(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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