目錄:孚光精儀（中國(guó)）有限公司>>光學(xué)測(cè)量系列>>晶圓測(cè)試儀器>> FPSEM-STE-EB71電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
| 參考價(jià) | ￥1200000-￥1800000 | /件 |
參考價(jià)：￥1200000 ~ ￥1800000
更新時(shí)間：2024-12-16 11:41:01瀏覽次數(shù)：835評(píng)價(jià)
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| 離子能 | 20-300eV |
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電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是按照“從實(shí)驗(yàn)室到工廠"的方法設(shè)計(jì)的電子束鍍膜蒸發(fā)系統(tǒng),既適用于密集的研發(fā)活動(dòng)，也適用于中試生產(chǎn)。
考慮到“提離"工藝的具體特點(diǎn)，該電子束蒸發(fā)系統(tǒng)適用于直徑不超過200mm的單晶片以及安裝在球形型材支架上的3×∅3“或6×∅2"晶片的沉積。
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)特點(diǎn)
•工藝室由不銹鋼制成，配有ConFlat密封件、集成壁水冷卻和基于500 l/s強(qiáng)大離子泵的干式泵送系統(tǒng)
•系統(tǒng)設(shè)計(jì)在微波電子用半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中得到了很好的驗(yàn)證
•采用專門開發(fā)的“掩模"技術(shù)，厚度不均勻性在直徑達(dá)200 mm的基板支架上小于±2.5%
•通過在350-500mm范圍內(nèi)改變“基板到蒸發(fā)器"的距離來優(yōu)化材料消耗的能力；特別是，工作距離為350 mm時(shí)，黃金消耗量為3÷4 g/μm
•基于GaAs/InGaAs/AlGaAs和GaN/AlGaN的HEMT的接觸電阻分別為0.1~0.25和0.3~0.5 Om×mm（在STE RTA100系統(tǒng)中接觸退火后）
•開發(fā)了基于ITO薄膜的p-GaN透明接觸
•鋁沉積速率不低于60?/s
•W沉積速率不小于1?/s
從支架中心到鈦層∅180 mm（3×∅3''晶圓）的厚度分布，在STE EB71（旋轉(zhuǎn)，“掩模"技術(shù)）獲得。
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)規(guī)格參數(shù)
沉積腔體內(nèi)剩余壓力:<5×10-7Torr
達(dá)到預(yù)處理真空的時(shí)間（<5×10^-8Torr）: 不超過20min
離子束（離子能20~300eV): 可選配
加熱處理晶圓數(shù)量：：500 （900可選）
沉積腔烘培溫度： 150℃
同事處理晶圓： 6個(gè)@2英寸，3個(gè)@3英寸，1個(gè)@∅100mm，∅150mm，∅200mm
電子束蒸發(fā)陰極功率：6KW
加速電壓：8KV
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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