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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,電氣 |
脈沖激光外延制備鍍膜系統(tǒng)
(PLD MBE)
憑借著優(yōu)異的性能, PVD公司生產(chǎn)的脈沖激光沉積分子束外延系統(tǒng)在國內(nèi)外擁有較多用戶，為眾多老師開啟薄膜外延制備的新篇章。
PVD公司是美國主要制造商，是一家專業(yè)從事脈沖激光沉積分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉積系統(tǒng)及組件的設(shè)計和制造的公司，提供超高真空薄膜沉積系統(tǒng)，應(yīng)用于分子束外延、UHV濺射和脈沖激光沉積。產(chǎn)品主要集中在小型研究開發(fā)系統(tǒng)，其應(yīng)用主要包括：
用分子束外延進(jìn)行半導(dǎo)體材料、ZnO、GaN、SiGe和金屬/氧化物外延生長；
UHV磁控濺射磁性薄膜；
脈沖激光沉積超導(dǎo)薄膜、氧化物和陶瓷材料。
脈沖激光外延制備鍍膜系統(tǒng)主要配置：
主腔室，樣品傳輸腔，1100度加熱系統(tǒng)，樣品旋轉(zhuǎn)，PLD靶材操控器及光路，K-cell熱蒸發(fā)源，電子束蒸發(fā)源，射頻RF離子源。
應(yīng)用主要包括：
分子束外延系統(tǒng)（MBE）；
GaAs、InP和GaSb外延；
HgCdTe外延；
GaN、InN和AlN外延；
Ⅱ-Ⅵ族外延；
SiGe外延；
Si/金屬/氧化物外延；
超高真空物理氣相沉積（PVD）系統(tǒng)；
磁控濺射系統(tǒng)；
脈沖激光沉積（PLD）系統(tǒng)；
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)；
離子束沉積系統(tǒng)；
熱蒸發(fā)系統(tǒng)。
PVD公司已經(jīng)在范圍內(nèi)安裝了超過100套的超高真空系統(tǒng)。絕大部分的產(chǎn)品都是針對用戶定制設(shè)計復(fù)雜的沉積系統(tǒng)。在標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)制造業(yè)中有著深厚的為用戶定制設(shè)計的背景，在用戶中具有很好的聲譽。許多的標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)初都是起源于針對某些客戶對沉積過程特殊需求的解決方案,與廣大的中國用戶開展更為廣泛的交流與合作，為廣大的中國用戶提供PLD MBE和超高真空薄膜沉積系統(tǒng)制造商的產(chǎn)品和服務(wù)。
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