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詳細(xì)摘要:基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:介電常數(shù)測(cè)試儀是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:c類(lèi)數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz~60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。它能測(cè)量高頻電感器的Q值,電感量和分布電容量;電容器的電容量和損耗角。配以?shī)A具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對(duì)固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗(tanδ)和介電常數(shù)(ε),高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:介電常數(shù)測(cè)試儀符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值讀取技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q。 DPLL合成發(fā)生1kHz~70MHz,測(cè)試信號(hào)。 低至20nH殘余電感,保證高頻時(shí)直讀Q值的誤差較小。 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。 Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。 數(shù)字化Q值預(yù)置,能提高批量測(cè)試的可靠性和速度。 產(chǎn)品型號(hào):所在地: 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:介電常數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:c類(lèi)數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz~60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。它能測(cè)量高頻電感器的Q值,電感量和分布電容量;電容器的電容量和損耗角。配以?shī)A具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對(duì)固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗(tanδ)和介電常數(shù)(ε),高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:c類(lèi)數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz~60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。它能測(cè)量高頻電感器的Q值,電感量和分布電容量;電容器的電容量和損耗角。 產(chǎn)品型號(hào):所在地:介電常數(shù)測(cè)試儀 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:c類(lèi)數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz~60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。它能測(cè)量高頻電感器的Q值,電感量和分布電容量;電容器的電容量和損耗角。配以?shī)A具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對(duì)固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗(tanδ)和介電常數(shù)(ε),高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:介質(zhì)損耗角正切及介電常數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào):GDAT-C所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡(jiǎn)便。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測(cè)Q值甚至tanδ,無(wú)須關(guān)注量程和換算,*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴(lài)面板上印制的輔助表格操作的落后狀況,它無(wú)疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測(cè)量的理想工具。 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法。 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。 產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:本臺(tái)儀器可測(cè)試固體材料、液體材料,高頻介電常數(shù),低頻介電常數(shù),工頻介電常數(shù),如果您想了解更多請(qǐng)咨詢(xún)。謝謝 產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價(jià):面議
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詳細(xì)摘要:介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的 物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗 和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法, 并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào):gdat-c所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
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