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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn) 1、《BH916介質(zhì)損耗裝置》(測(cè)試夾具)是測(cè)試系統(tǒng)的核心檢測(cè)部件，它由一個(gè)LCD數(shù)字顯示的微測(cè)量裝置和一對(duì)經(jīng)精密加工的、間距可調(diào)的平板電容器極片組成。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT1409-2006 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。 主要可以測(cè)量電容器，互感器，變壓器，各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗( tg)和電容量( Cx)以，其測(cè)量線路采用“正接法"即測(cè)量對(duì)地絕緣的試品。 產(chǎn)品型號(hào)：BDAT-B所在地：北京海淀上地十街輝煌國(guó)際6號(hào)樓4層0426室 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京海淀上地十街輝煌國(guó)際6號(hào)樓4層0426 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)耗損測(cè)試儀是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京海淀上地十街輝煌國(guó)際6號(hào)樓4層0426 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)試驗(yàn)儀主要特點(diǎn)： 空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京海淀建材城西路50號(hào) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗角測(cè)試儀型號(hào)：GDAT-A主要特點(diǎn)：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京市海淀區(qū)上地十街輝煌國(guó)際西6號(hào)樓4層0426 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京市海淀區(qū)上地十街輝煌國(guó)際西6號(hào)樓4層0426 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路50號(hào) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀專業(yè)供應(yīng)商，如需請(qǐng)致電詳談。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：c類數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz～60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理，以電壓比值刻度Q值的。它能測(cè)量高頻電感器的Q值，電感量和分布電容量；電容器的電容量和損耗角。配以?shī)A具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對(duì)固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗（tanδ）和介電常數(shù)(ε)，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司專業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)測(cè)試儀，： ， 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司主營(yíng)產(chǎn)品：絕緣強(qiáng)度耐電壓擊穿試驗(yàn)儀-高壓電橋法介電常數(shù)測(cè)試儀-高電壓擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀
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