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詳細摘要：高頻介質(zhì)損耗測試系統(tǒng)由S916測試裝置（夾具）、GDAT型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入GDAT)、及LKI-1型電感器組成，它依據(jù)國標GB/T 1409-2006、美標ASTM D150以及電工委員會IEC60250的規(guī)定設(shè)計制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動測量的Z佳解決方案。 產(chǎn)品型號：GDAT-C所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細摘要：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。 產(chǎn)品型號：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細摘要：介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。 產(chǎn)品型號：GDAT-a所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細摘要：介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。 產(chǎn)品型號：GDAT-c所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細摘要：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。 產(chǎn)品型號：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細摘要：介質(zhì)損耗因數(shù)試驗儀/介電常數(shù)測試儀 滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號：gdat-c所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：主營工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。 產(chǎn)品型號：BQS-37所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細摘要：RS232 儀器具有RS232接口，與計算機連接便于數(shù)據(jù)的統(tǒng)計和處理及保存。 產(chǎn)品型號：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細摘要：本儀器優(yōu)質(zhì)，無可挑剔。 產(chǎn)品型號：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細摘要：儀器*符合并優(yōu)于國家標準GB1410《固體電工絕緣材料絕緣電阻、體積電阻系數(shù)和表面電阻試驗方法》和美國標準ASTM D257《絕緣材料的直流電阻或電導(dǎo)試驗方法》等標準的要求。本儀器是既可測量高電阻，又可測微電流。 產(chǎn)品型號：所在地：北京市海淀區(qū)建材城 參考價：面議
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詳細摘要：主要技術(shù)特性：介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。 產(chǎn)品型號：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)測量儀電容率測試儀之比。對于電抗元件（電感或電容）來說，即在測試頻率上呈現(xiàn)的電抗與電阻之比。它以89C51單片計算機作為控制核心，實現(xiàn)對各種功能的控制。壓控信號源為Q值測量提供了一個優(yōu)質(zhì)的高頻信號，頻率從25kHz-50MHz，共分為七個波段。信號源的頻率受頻率調(diào)諧和數(shù)字鎖定單元的控制。信號源輸出一路送到程控衰減器和自動穩(wěn)幅控制單元，該單元根據(jù)CPU的指令對信號衰減后送回信號激勵單元，同時 產(chǎn)品型號：GDAT所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價：面議
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詳細摘要：abc型介電常數(shù)/介質(zhì)損耗儀儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細摘要：北廣介質(zhì)損耗測試儀廠家本儀器適用于110V/220V , 50Hz+0.5Hz交流電，使用前要檢查市電電壓 是否合適，采用穩(wěn)壓電源，以保證測試條件的穩(wěn)定。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細摘要：廣東介電常數(shù)測試儀介質(zhì)損耗是用于衡量絕緣體儲存電能的性能. 它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質(zhì)時的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質(zhì)或真空時的電容量之比。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京北廣精儀 參考價：面議
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詳細摘要：北廣介電常數(shù)測定儀是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標準頻率測試點自動設(shè)定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉(zhuǎn)換，數(shù) 產(chǎn)品型號：BQS-37A所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細摘要：介質(zhì)損耗角正切測試儀主要特點： 空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 日本AET 公司針對CCL/印刷電路板設(shè)計空洞共振腔測試裝置 , 只需裁成小長條狀即 產(chǎn)品型號：BDAT-A所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗角正切測試儀空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品（ 小于 10 mil） 量測值偏低,。 產(chǎn)品型號：BQS-37A所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價：面議
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詳細摘要：專業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀專業(yè)空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品（ 小于 10 mil） 量測值偏低,。 產(chǎn)品型號：BDAT-A所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價：面議
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詳細摘要：專業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)測定儀全自動抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是一種新穎的測量介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）和電容值（Cx）的智能化儀 介質(zhì)損耗測試儀圖片 產(chǎn)品型號：BDAT-A所在地：北京市 參考價：面議
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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司主營產(chǎn)品：絕緣強度耐電壓擊穿試驗儀-高壓電橋法介電常數(shù)測試儀-高電壓擊穿強度試驗儀
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