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薄膜沉積CVD
SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備，利用ICP高密度等離子源來沉積電介質(zhì)薄膜?？稍跇O低溫度下（ 100ºC）沉積高質(zhì)量SiO2, S...

型號： ICP-500D 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/10/12 15:04:52 對比

SENPECVD沉積系統(tǒng)SI 500 PPD化學氣相沉積
原子層沉積系統(tǒng)
PICOSUN 原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200 Pro；PICOSUN R-200 Advanced ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS...

型號： PICOSUN A... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/25 13:45:45 對比

PICOSUN原子層沉積ALDPICOSUN-ALD原子層
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)-高級版
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200高級版；系統(tǒng)適用于數(shù)十種應用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對象，例如透鏡，光學器件...

型號： ALD R-200... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/25 13:43:50 對比

PICOSUN原子層沉積ALDPICOSUN-ALD原子層
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200基礎(chǔ)版
PICOSUN®R-200標準ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對象，例如透鏡，光學器件，珠寶，...

型號： ALD R-200 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/25 13:41:31 對比

PICOSUN原子層沉積ALDPICOSUN-ALD原子層
等離子中束流離子注入機
離子注入機由離子源、質(zhì)量分析器、加速器、四級透鏡、掃描系統(tǒng)和靶室組成，可以根據(jù)實際需要省去次要部位。離子源是離子注入機的主要部位，作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子...

型號： IMC210 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/25 12:51:44 對比

IBS中束流離子注入高溫離子注入機中束離子
ICP等離子沉積系統(tǒng)-SI 500D
SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備，利用ICP高密度等離子源來沉積電介質(zhì)薄膜?？稍跇O低溫度下（ 100ºC）沉積高質(zhì)量SiO2, S...

型號： ICP-500D 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/25 12:16:56 對比

SENPECVD沉積系統(tǒng)SI 500 PPD化學氣相沉積