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LD-FPA-320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器
320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器
InGaAs短波焦平面探測器產品應用在近紅外成像和光譜技術成像上，包括非制冷型（無TEC）和制冷型（TEC）型。產品應用穩(wěn)定成熟的工藝，并已實現量產。該產品選用常規(guī)封裝，便于CCD與CMOS相機集成商的機械設備；集成嵌入式TEC進一步提高了探測器的靈敏度，并通過密閉金屬封裝來實現其高可靠性。
產品型號
InGaAs面陣探測器的響應波段為900-1700nm/2200nm，目前可提供320x256和640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術可以使其與讀出電路緊密結合，同時采用LCC及Kovar氣密封裝，且表面鍍有抗反射膜。我們可以根據客戶的需求定制封裝不同的產品。
型號 | FPA-320×256-C | FPA-320×256-K-TE1/TE2 | FPA-320×256-K-2.2-TE2 |
材料 | InGaAs | InGaAs | InGaAs |
響應波段 | 0.9um-1.7um | 0.9um-1.7um | 1.2um-2.2um |
圖像分辨率 | 320×256 | 320×256 | 320×256 |
像元尺寸 | 30um | 30um | 30um |
靶面尺寸 | 9.6mm×7.68mm | 9.6mm×7.68mm | 9.6mm×7.68mm |
封裝 | 44-pin CLCC | 28-pin MDIP | 28-pin MDIP |
重量 | 1.6g | 24.6g/25.6g | 24.6g |
有效像元率 | >99.5% | >99% | >97% |
暗電流 | <0.4pA | ≤0.4pA | ≤10pA |
量子效率 | ≥70% | ≥70% | ≥70% |
填充率 | ＞99% | ＞99% | ＞99% |
串擾 | ＜1% | ＜1% | / |
探測率 | ≥5×1012J | ≥5×1012J (TE1) ≥7.5×1012J(TE2) | ≥1×1012J |
響應非均勻性 | ≤10% | ≤10% | ≤40% |
非線性(最大偏差) | ≤2% | ≤2% | ≤2% |
最大像素率 | 10MHz | 10MHz | 10MHz |
增益 | High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e- | High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e- | High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e- |
滿阱容量 | High:170Ke- Low:3.5Me- | High:170Ke- Low:3.5Me- | High:170Ke- Low:3.5Me- |
TEC 制冷 | 無 | TE1/TE2 | TE1/TE2 |
工作溫度 | -20℃—85℃ | -20℃—85℃ | -20℃—85℃ |
儲存溫度 | -40℃—85℃ | -40℃—85℃ | -40℃—85℃ |
功耗 | 175mw | 175mw** | 175mw** |
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