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更新時(shí)間:2020-11-13 23:32:14瀏覽次數(shù):523次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 化工儀器網(wǎng)半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
半導(dǎo)體SiC靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,電子 |
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1. 設(shè)備主要原理與功能
設(shè)備利用射頻天線(xiàn),通過(guò)感應(yīng)耦合方式在放電腔中產(chǎn)生高密度等離子體,刻蝕工作臺(tái)同時(shí)引入射頻偏壓,在射頻偏壓作用下,等離子體垂直向下對(duì)未被掩蔽的被刻蝕材料表面進(jìn)行物理轟擊,并與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),達(dá)到對(duì)樣品進(jìn)行化學(xué)物理相結(jié)合刻蝕的目的。
2. 設(shè)備組成結(jié)構(gòu)
設(shè)備主要由高真空刻蝕室、真空獲得系統(tǒng)、真空測(cè)量系統(tǒng)、恒壓系統(tǒng)、電源系統(tǒng)、感應(yīng)耦合電極與勻氣系統(tǒng)、射頻偏壓電極、水冷升降工件臺(tái)、氣路系統(tǒng)、電氣與全自動(dòng)控制系統(tǒng)、安全保護(hù)及自動(dòng)報(bào)警系統(tǒng)等部分組成。
3. 設(shè)備主要用途與特點(diǎn)
u 設(shè)備適用于大學(xué)、研究院所、企業(yè)研發(fā)機(jī)構(gòu)通用的感應(yīng)耦合等離子體刻蝕的科研與教學(xué)。
u 設(shè)備刻蝕材料廣泛,包括并不限于單晶硅、非晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、TaN、Ta、Ti、W、Mo、聚合物等。
u 采用新型柱狀耦合電極結(jié)構(gòu),氣體離化率與等離子體密度更高。
u 可自動(dòng)在線(xiàn)調(diào)節(jié)刻蝕距離,適合不同工藝特性。
u 帶有自動(dòng)壓力控制系統(tǒng),刻蝕工藝更穩(wěn)定。
u 設(shè)備采用全自動(dòng)化控制。
4. 設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)
4.1 腔體尺寸:Φ300mm*H300mm,經(jīng)氧化處理的鋁質(zhì)桶形臥式結(jié)構(gòu),上蓋自動(dòng)開(kāi)閉。
4.2 極限真空度:≤5×10-4Pa;
4.3 系統(tǒng)漏率:5×10-7Pa.l/s;
4.4 靜態(tài)升壓:系統(tǒng)停泵關(guān)機(jī)后12小時(shí)后,真空度≤5Pa
4.5 系統(tǒng)進(jìn)清洗充干燥N2解除真空,短時(shí)暴露大氣后抽氣抽至5×10-3Pa時(shí)間小于20min,至9×10-4Pa≤40min。
4.6 射頻陰極尺寸:Φ200mm。
4.7 刻蝕均勻性:≤±5%(Φ6英寸)
4.8 主要工藝氣體配置:SF6、CHF3、CF4、O2、Ar、N2(視具體刻蝕工藝)
4.9 電源配置
u 耦合電極(上電極):13.56MHz,1000W,自動(dòng)匹配
u 偏壓電極(下電極):13.56MHz,600W,自動(dòng)匹配
4.10 自動(dòng)壓力控制系統(tǒng):包含
4.11 刻蝕距離自動(dòng)調(diào)節(jié)范圍:20mm-80mm,調(diào)節(jié)精度:1mm
4.12 水冷工作臺(tái)溫度:<15℃
4.13 腔壁冷卻:包含
4.14 控制方式:基于PLC及工控機(jī)的全自動(dòng)、半自動(dòng)控制方式
4.15 包含安全報(bào)警系統(tǒng)
5. 設(shè)備主要配置
5.1 真空刻蝕腔體、樣品架系統(tǒng)、一體機(jī)架、輔助設(shè)施,1套(定制)
5.2 分子泵1臺(tái),抽速600L/s(北京中科科儀KYKY)
5.3 直連旋片式真空泵1臺(tái),抽速8L/s(日本真空獨(dú)資寧波愛(ài)發(fā)科)
5.4 超高真空電動(dòng)調(diào)節(jié)插板閥1臺(tái),Φ150mm(北京中科科儀KYKY)
5.5 真空測(cè)量系統(tǒng)1套(成都睿寶/成都正華)
5.6 自動(dòng)壓力控制系統(tǒng)1套(創(chuàng)世威納),含進(jìn)口薄膜真空計(jì)(德國(guó)INFICON)。
5.7 射頻電源及自動(dòng)匹配器: 1000W,1套(美國(guó)ceres);600W,1套(美國(guó)ceres)
5.8 質(zhì)量流量控制器:6臺(tái)(北京七星華創(chuàng))
5.9 工藝氣路:6條(定制配套)
5.10 射頻耦合電極及射頻引入器1套(定制)
5.11 可調(diào)距離射頻陰極及射頻引入器1套(定制)
5.12 自動(dòng)控制系統(tǒng)1套。PLC及模塊(德國(guó)西門(mén)子)、工控機(jī)(研華工控)、顯示器(飛利浦)
5.13 空氣壓縮機(jī)1臺(tái)(上海岱洛)
5.14 冷卻循環(huán)隨機(jī)1臺(tái)(同洲維普)
6. 設(shè)備外形尺寸、重量
L1200mm*W900mm*H1600mm,500Kg
7. 設(shè)備使用條件
7.1配電箱:
AC380V 60A 5KW三相四線(xiàn)制。
留有380V 40A空開(kāi)一個(gè)。
AC220V 10A三頭萬(wàn)能插座一個(gè)。
AC220V 16A三頭萬(wàn)能插座一個(gè)。
7.2排氣接口:∮40mm接口兩個(gè)。
7.3接地要求:接地電阻≤4Ω。
7.4工藝氣體進(jìn)氣口規(guī)格:1/4″不銹鋼管,雙卡套連接。
7.5工藝氣體與配套減壓閥(視工藝而定)。例如:O2、Ar、N2等。
感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)-武漢賽斯特
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