S-MPL系列顯微熒光成像系統(tǒng)簡介

• 光致發(fā)光(photoluminescence)即PL，是用紫外、 可見或紅外輻射激發(fā)發(fā)光材料而產生的發(fā)光，在半 導體材料的發(fā)光特性測量應用中通常是用激光（波 長如325nm、532nm、785nm等）激發(fā)材料（如 GaN、ZnO、GaAs等）產生熒光，通過對其熒光光譜（即PL譜）的測量，分析該材料的光學特性，如禁帶寬 度等。光致發(fā)光可以提供有關材料的結構、成分及環(huán)境 原子排列的信息，是一種非破壞性的、高靈敏度的分析 方法，因而在物理學、材料科學、化學及分子生物學等 相關領域被廣泛應用。
• 傳統(tǒng)的熒光光譜儀一般采用透鏡收光的方式，針對發(fā)光 非常微弱的納米材料，即便用激光器激發(fā)，也很難獲得 較好的信號。結合多年的實際測樣經驗，我司推出了顯 微PL系統(tǒng)，采用顯微物鏡收光，較傳統(tǒng)的熒光光譜儀其 收光效率提升了至少3個數量級，因此特別適用于傳統(tǒng) 熒光系統(tǒng)難以檢測到的微弱信號，另外其輔助的白光成 像功能，還可以實現(xiàn)微區(qū)（微米級）定位測量。

應用領域：

• 半導體材料
• 二維材料
• 納米材料
• 薄膜材料
• 光波導器件
• LD, LED外延片

產品特點：

• 光譜范圍：200-1700nm
• 光斑大?。?le;10μm（325nm激光、100X物鏡）
• 光譜分辨率：優(yōu)于0.1nm
• 白光成像分辨率：亞微米級
• 激光器：266nm、325nm、360nm、405nm、488n- m、510nm、532nm、633nm、785nm等可選
• 樣品臺：手動/電動可選
• 采譜模式：單點掃描/線掃描可選

 S-MPL系列顯微熒光成像系統(tǒng)系統(tǒng)功能：

• 微區(qū)PL測量
• 可同時配置多路激光器
• 自由光路耦合，保障大光效率
• 顯微光路設計，保障大激發(fā)、收集效率
• 高精度位移臺，實現(xiàn)微米級定位測量

擴展功能：

• 微區(qū)電致發(fā)光（EL）測量
• 熒光壽命測量：ps-ms量級
• 自動Mapping功能：50mm×50mm行程，步進精度 1μm
• 光電流譜（成像）測量
• 光電材料響應度測試
• 變溫附件：77K-600℃/4K、10K超低溫

S-MPL系列顯微熒光系統(tǒng)