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西安昊然生物科技有限公司
初級(jí)會(huì)員 | 第5年

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  • 二硫化鎢薄膜、WS2薄膜、CVD二維薄膜

    二硫化鎢薄膜、WS2薄膜、CVD二維薄膜WS2可選基底較多,其中藍(lán)寶石基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/29 16:01:52 對(duì)比
    二硫化鎢薄膜WS2薄膜CVD二維薄膜薄膜
  • 二硒化鉬薄膜、MoSe2薄膜、CVD二維薄膜

    二硒化鉬薄膜、MoSe2薄膜、CVD二維薄膜MoSe2可選基底較多,其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻璃...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/29 16:01:30 對(duì)比
    二硒化鉬薄膜MoSe2薄膜CVD二維薄膜
  • 二硒化鎢薄膜、WSe2薄膜、CVD二維薄膜

    二硒化鎢薄膜、WSe2薄膜、CVD二維薄膜WSe2可選基底較多,其中藍(lán)寶石基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO...

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    二硒化鎢薄膜WSe2薄膜CVD二維薄膜
  • 薄膜、石墨烯納米銀線復(fù)合柔性透明導(dǎo)電膜

    薄膜、石墨烯納米銀線復(fù)合柔性透明導(dǎo)電膜石墨烯納米銀線復(fù)合柔性透明導(dǎo)電膜在柔性電子器件中具有廣泛的應(yīng)用前景,例如可穿戴設(shè)備、智能窗戶(hù)、太陽(yáng)能電池等。這種材料具有高...

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    石墨烯納米銀線復(fù)合柔性透明導(dǎo)電膜薄膜
  • 石墨炔膜,薄膜,cas154702-15-5

    石墨炔膜,薄膜,cas154702-15-5石墨炔膜是一種新型的二維碳材料,它結(jié)合了石墨烯和炔烴的優(yōu)點(diǎn),具有優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性能。這種材料具有高度的穩(wěn)定性...

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    石墨炔膜薄膜cas154702-15-5
  • 質(zhì)子交換膜,NAFION膜

    質(zhì)子交換膜,NAFION膜高溫質(zhì)子交換膜,NAFION是一種高分子薄膜,主要用于電化學(xué)能源領(lǐng)域,如燃料電池、電解水制氫等方面。

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    質(zhì)子交換膜NAFION膜
  • 單層二硫化鉬連續(xù)薄膜,藍(lán)寶石基底

    單層二硫化鉬連續(xù)薄膜,藍(lán)寶石基底CVD是化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)的縮寫(xiě),是一種通過(guò)氣相反應(yīng)在基底表面沉積薄膜的技術(shù)。藍(lán)...

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    單層二硫化鉬連續(xù)薄膜二硫化鉬連續(xù)薄膜藍(lán)寶石基底
  • 碳納米管膜,cas308068-56-6

    碳納米管膜,cas308068-56-6碳納米管膜是一種由碳納米管陣列組成的薄膜,由于其結(jié)構(gòu)和性質(zhì),在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用前景。下面將從幾個(gè)方面介紹碳納米管膜...

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    碳納米管膜cas308068-56-6薄膜
  • 碳納米管金屬?gòu)?fù)合薄膜,cas308068-56-6

    碳納米管金屬?gòu)?fù)合薄膜,cas308068-56-6碳納米管金屬?gòu)?fù)合薄膜是一種新型的復(fù)合材料,它結(jié)合了碳納米管和金屬的優(yōu)點(diǎn),具有優(yōu)異力學(xué)性能、電學(xué)性能和熱學(xué)性能。

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    碳納米管金屬?gòu)?fù)合薄膜cas308068-56-6薄膜
  • 碳化鈦?zhàn)灾伪∧ぃ═i3C2),黑色圓片

    碳化鈦?zhàn)灾伪∧ぃ═i3C2),黑色圓片碳化鈦(Ti?C?)自支撐薄膜通常是指將Ti?C?納米片層組裝成自支撐的薄膜結(jié)構(gòu)。Ti?C?是一種屬于二維過(guò)渡金屬碳化物...

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    碳化鈦?zhàn)灾伪∧?/mark>Ti3C2黑色圓片
  • SiO2/Si基單層二硫化鉬連續(xù)薄膜

    SiO2/Si基單層二硫化鉬連續(xù)薄膜CVD法制備的單層二硫化鉬連續(xù)薄膜,相比較鋰插層制備的單層二硫化鉬,具有缺陷少,層數(shù)可控,光學(xué)性質(zhì),是研究層數(shù)和熒光效應(yīng)和制...

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    氧化硅/硅基底單層二硫化鉬連續(xù)薄膜CVD
  • 薄膜、PET基石墨烯薄膜

    薄膜、PET基石墨烯薄膜薄膜是一種薄而軟的透明薄片。用塑料、膠粘劑、橡膠或其他材料制成。薄膜科學(xué)上的解釋為:由原子,分子或離子沉積在基片表面形成的2維材料。例:...

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    PET基石墨烯薄膜石墨烯薄膜
  • HBN薄膜,單層氮化硼薄膜,SiO2/Si基底

    HBN薄膜,單層氮化硼薄膜,SiO2/Si基底HBN薄膜可被用作金屬絕緣金屬結(jié)構(gòu)的超薄間隔層,以及電子的隧道阻擋層,使其具有廣泛的應(yīng)用,例如納米電容器、場(chǎng)效應(yīng)隧...

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    HBN薄膜單層氮化硼薄膜SiO2/Si基底
  • HBN薄膜,多層氮化硼薄膜,鎳基底

    HBN薄膜,多層氮化硼薄膜,鎳基底多層氮化硼薄膜(鎳基)通常指的是在鎳基底上制備的多層氮化硼(h-BN)薄膜。氮化硼是由硼和氮原子組成的二維結(jié)構(gòu)材料,與單層氮化...

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    HBN薄膜多層多層氮化硼薄膜化硼薄膜鎳基底
  • HBN薄膜,單層氮化硼薄膜,銅基底

    HBN薄膜,單層氮化硼薄膜,銅基底單層氮化硼薄膜(銅基)通常指的是在銅基底上制備的單層氮化硼(h-BN)薄膜。氮化硼是一種由硼和氮原子組成的二維晶格結(jié)構(gòu)材料,類(lèi)...

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    HBN薄膜單層氮化硼薄膜銅基底
  • ?V2NiSe4晶體,超導(dǎo)材料,拓?fù)浣^緣體

    ?V2NiSe4晶體,超導(dǎo)材料,拓?fù)浣^緣體V2NiSe4通常是一種層狀化合物,其晶格結(jié)構(gòu)可能導(dǎo)致一些電子和磁性質(zhì)。

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    ?V2NiSe4晶體超導(dǎo)材料
  • Zr5Te4晶體,拓?fù)浣^緣體

    Zr5Te4晶體,拓?fù)浣^緣體Zr5Te4是一種復(fù)雜化合物,其晶體結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,通常屬于金屬-硒化物和硒化物家族。它具有電子結(jié)構(gòu)和可能的磁性特性。

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    Zr5Te4晶體
  • 碳化硅晶體,SiC?,六方晶系

    碳化硅晶體,SiC?,六方晶系碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成...

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    碳化硅晶體SiC六方晶系
  • 磷化鎳納米晶體,Ni2P晶體

    磷化鎳納米晶體,Ni2P晶體磷化鎳是一種重要的催化劑,常用于氫化反應(yīng)、重整反應(yīng)以及其他有機(jī)合成反應(yīng)中。它也可用于制備磷酸鎳電池,應(yīng)用于電子設(shè)備、醫(yī)療器械和電動(dòng)工...

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    磷化鎳納米晶體Ni2P晶體
  • 三氧化銻晶體,Sb2O3分子晶體

    三氧化銻晶體,Sb2O3分子晶體三氧化二銻為白色立方晶體,熔點(diǎn)656°C,相對(duì)密度5.2。兩性,強(qiáng)于酸性,易溶于酸;在水中的溶解度為0.002克/10...

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    三氧化銻晶體Sb2O3分子晶體Sb2O3晶體分子晶體Sb2O3

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