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森泰克感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)SI 500

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌SENTECH

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地北京市

更新時(shí)間:2024-10-10 14:26:32瀏覽次數(shù):493次

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森泰克感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)SI 500干法刻蝕系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、微納加工、MEMS制造等領(lǐng)域。它可以用于刻蝕多種材料,包括但不限于三五族化合物半導(dǎo)體(如GaAs、InP、GaN、InSb)、介質(zhì)、石英、玻璃、硅和硅化合物(如SiC、SiGe)以及金屬等。

森泰克感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)SI 500是一款由SENTECH(德國森泰克)公司研發(fā)并生產(chǎn)的電感耦合等離子體(ICP)干法刻蝕系統(tǒng)。該產(chǎn)品以其高精度、低損傷、高速率以及靈活的模塊化設(shè)計(jì),在半導(dǎo)體制造、微納加工等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對SI500產(chǎn)品的詳細(xì)介紹:

一、產(chǎn)品特點(diǎn)

低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕

高速率刻蝕

內(nèi)置ICP等離子源

動(dòng)態(tài)溫控

靈活性和模塊化設(shè)計(jì)

二、應(yīng)用領(lǐng)域

森泰克感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)SI 500干法刻蝕系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、微納加工、MEMS制造等領(lǐng)域。它可以用于刻蝕多種材料,包括但不限于三五族化合物半導(dǎo)體(如GaAs、InP、GaN、InSb)、介質(zhì)、石英、玻璃、硅和硅化合物(如SiC、SiGe)以及金屬等。

三、產(chǎn)品規(guī)格

型號(hào)SI500

品牌SENTECH(德國森泰克)

產(chǎn)地:德國

工藝溫度范圍:根據(jù)不同型號(hào),工藝溫度范圍有所不同,如-150°C至+400°C

晶圓尺寸:最大可處理200mm晶圓

四、總結(jié)

SI500作為一款先進(jìn)的電感耦合等離子體干法刻蝕系統(tǒng),以其低損傷、高速率、高精度以及靈活的模塊化設(shè)計(jì),在半導(dǎo)體制造和微納加工領(lǐng)域展現(xiàn)出了的性能和廣泛的應(yīng)用前景。無論是科研還是工業(yè)生產(chǎn),SI500都能提供SI500是一款由SENTECH(德國森泰克)公司研發(fā)并生產(chǎn)的電感耦合等離子體(ICP)干法刻蝕系統(tǒng)。該產(chǎn)品以其高精度、低損傷、高速率以及靈活的模塊化設(shè)計(jì),在半導(dǎo)體制造、微納加工等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對SI500產(chǎn)品的詳細(xì)介紹:

一、產(chǎn)品特點(diǎn)

低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕

高速率刻蝕

內(nèi)置ICP等離子源

動(dòng)態(tài)溫控

靈活性和模塊化設(shè)計(jì)

二、應(yīng)用領(lǐng)域

SI500ICP干法刻蝕系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、微納加工、MEMS制造等領(lǐng)域。它可以用于加工各種材料,包括三五族化合物半導(dǎo)體(如GaAs、InP、GaN、InSb)、介質(zhì)、石英、玻璃、硅和硅化合物(如SiC、SiGe)以及金屬等。

三、產(chǎn)品規(guī)格

型號(hào)SI500

品牌SENTECH(德國森泰克)

產(chǎn)地:德國

最大晶圓片尺寸200mm(部分型號(hào)可支持更大尺寸)

襯底溫度范圍:根據(jù)型號(hào)不同,可從-150°C至+400°C

自動(dòng)化程度:提供不同級(jí)別的自動(dòng)化裝置,從真空片盒載片到一個(gè)工藝腔室到六個(gè)工藝模塊端口

四、總結(jié)

SI500作為一款先進(jìn)的電感耦合等離子體干法刻蝕系統(tǒng),以其低損傷、高速率、高精度和靈活性的設(shè)計(jì)特點(diǎn),在半導(dǎo)體制造和微納加工領(lǐng)域展現(xiàn)出性能和廣泛的應(yīng)用前景。無論是對于科研機(jī)構(gòu)還是工業(yè)生產(chǎn)企業(yè)而言,SI500都是一個(gè)值得考慮的高性能刻蝕設(shè)備。SI500是一款由SENTECH(德國森泰克)公司研發(fā)并生產(chǎn)的電感耦合等離子體(ICP)干法刻蝕系統(tǒng)。該產(chǎn)品以其高精度、低損傷、高速率以及靈活的模塊化設(shè)計(jì),在半導(dǎo)體、MEMS、光電子學(xué)、納米技術(shù)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。以下是對SI500產(chǎn)品的詳細(xì)介紹:

一、技術(shù)特點(diǎn)

低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕:由于等離子的能量分布低,SI500能夠?qū)崿F(xiàn)低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)刻蝕,特別適用于對材料表面質(zhì)量要求高的應(yīng)用場景。

高速率刻蝕:在MEMS制造工藝中,SI500能夠?qū)崿F(xiàn)Si材料光滑側(cè)壁的高速高選擇比刻蝕,提高生產(chǎn)效率。

內(nèi)置ICP等離子源:采用平板三螺旋天線(PTSA)等離子源,這是SENTECH離子工藝系統(tǒng),能夠生成高密度低能量分布的等離子體,適用于多種材料的刻蝕工藝。

動(dòng)態(tài)溫控ICP襯底電極結(jié)合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進(jìn)行動(dòng)態(tài)溫控,工藝溫度范圍可達(dá)-150°C至+400°C,確??涛g過程中的溫度穩(wěn)定性和工藝質(zhì)量。

二、應(yīng)用領(lǐng)域

SI500ICP干法刻蝕系統(tǒng)可用于加工各種各樣的襯底,包括直徑高達(dá)200mm的晶片以及裝載在載片器上的零件。通過配置不同的工藝模塊,SI500可用于刻蝕多種材料,包括但不限于三五族化合物半導(dǎo)體(如GaAs、InP、GaN、InSb)、介質(zhì)、石英、玻璃、硅和硅化合物(如SiC、SiGe)以及金屬等。

三、設(shè)計(jì)特點(diǎn)

靈活性和模塊化SI500的設(shè)計(jì)注重靈活性和模塊化,可以根據(jù)用戶需求進(jìn)行配置和擴(kuò)展。從真空片盒載片到一個(gè)工藝腔室到六個(gè)工藝模塊端口,可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)高靈活性或高產(chǎn)量。

全自動(dòng)控制:配備全自動(dòng)控制的真空系統(tǒng)和遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的SENTECH控制軟件,以及用戶友好的通用接口,使得操作更加簡便和高效。

高精度和穩(wěn)定性:單晶片預(yù)真空室保證了穩(wěn)定的工藝條件,并且切換工藝非常容易。動(dòng)態(tài)溫度控制技術(shù)和高耦合效率的等離子源確保了刻蝕過程的高精度和穩(wěn)定性。

四、產(chǎn)品型號(hào)

SI500系列提供了多種型號(hào)以滿足不同用戶的需求,包括但不限于:

SI500ICP等離子刻蝕機(jī):帶預(yù)真空室,適用于200mm的晶片,襯底溫度從-20°C到300°C。

SI500C等溫ICP等離子刻蝕機(jī):帶傳送腔和預(yù)真空室,襯底溫度從-150°C到400°C。

SI500RIE:RIE等離子刻蝕機(jī),背面氦氣冷卻刻蝕的智能解決方案,電容耦合等離子體源可升級(jí)成ICP等離子體源PTSA。

SI500-300ICP等離子刻蝕機(jī):帶預(yù)真空室,適用于300mm晶片。

綜上所述,SI500作為一款先進(jìn)的電感耦合等離子體干法刻蝕系統(tǒng),以技術(shù)性能、廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域以及靈活的設(shè)計(jì)特點(diǎn),在微納加工領(lǐng)域具有重要地位。


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