杜邦™plasmasolv®ekc265™蝕刻后殘留物去除            

特點：

制定zui jia的金屬堆棧完整性  

“改進”寬窗口處理能力

強化蝕刻殘余物去除

清洗的掩膜減少化學殘留

超大規(guī)模集成電路（ULSI）級規(guī)格*進封裝清洗

工作溫度下蒸發(fā)速率低

應(yīng)用：        

應(yīng)用EKC265™蝕刻后殘留物器廣泛應(yīng)用在半導體行業(yè)，以滿足關(guān)鍵的清潔需求            

從高深寬比MEMS器件100μm+ 到*進DRAM 的70nm集成的各個階段

下面列出了常見的應(yīng)用程序： 

• 接觸清潔            

• 金屬線清潔

• TSV深硅穿孔清潔           

• 鎢埋位線清洗            

• 聚酰亞胺清洗            

• Pad清潔            

• MEMS清洗