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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

cmp拋光機

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號POLI-400L

品牌特思迪

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地北京市

更新時間:2024-09-06 15:17:26瀏覽次數(shù):432次

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POLI-400Lcmp拋光機是4&6英寸小型化學(xué)機械拋光機,采用手動裝片方式,氣囊薄膜柔性加壓,可配置摩擦力&溫度終點監(jiān)控系統(tǒng),用于氧化物、金屬、STI、SOI、MEMS等產(chǎn)品的平坦化拋光,應(yīng)用廣泛。

1.  產(chǎn)品概述:

CMP拋光機,全稱為化學(xué)機械拋光機,是一種針對薄膜(如介質(zhì)層)進行拋光處理的設(shè)備。它結(jié)合了化學(xué)刻蝕和機械摩擦的綜合作用,通過精確控制拋光過程中的化學(xué)和機械參數(shù),實現(xiàn)對晶圓表面材料的精細去除和平坦化處理。CMP拋光機具有操作便捷、兼容性強等特點,能夠根據(jù)不同尺寸和類型的晶圓進行適配,并通過更換拋光壓頭等方式實現(xiàn)多種拋光工藝的需求。

2.  設(shè)備用途/原理:

CMP拋光機在半導(dǎo)體制造中扮演著至關(guān)重要的角色,其主要用途包括:

1. 晶圓表面平坦化:在集成電路制造過程中,CMP拋光機用于對晶圓表面進行平坦化處理,以消除表面起伏和缺陷,提高晶圓表面的平整度。這對于后續(xù)工藝步驟的順利進行和芯片性能的提升至關(guān)重要。

2. 薄膜厚度控制:CMP拋光機能夠精確控制晶圓表面薄膜的厚度,確保薄膜厚度達到設(shè)計要求。這對于提高芯片的性能和可靠性具有重要意義。

3. 特殊材料加工:除了集成電路制造外,CMP拋光機還廣泛應(yīng)用于3D封裝技術(shù)、特殊材料加工等領(lǐng)域。例如,在3D封裝技術(shù)中,CMP拋光機用于處理芯片之間的連接面,以確保連接的精確性和可靠性。

3.  設(shè)備特點

CMP拋光機具有以下幾個顯著特點:

1  高精度控制:CMP拋光機采用先進的控制系統(tǒng)和精密的機械結(jié)構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)對拋光過程中各項參數(shù)的精確控制。這包括拋光壓力、拋光盤轉(zhuǎn)速、拋光頭轉(zhuǎn)速等關(guān)鍵參數(shù),從而確保拋光效果的穩(wěn)定性和一致性。

2 多工藝兼容:CMP拋光機具有較強的兼容性,能夠根據(jù)不同材料和工藝的需求進行適配。通過更換拋光壓頭、調(diào)整拋光液配方等方式,CMP拋光機可以實現(xiàn)對多種材料和工藝的拋光處理。

3 自動化程度高:現(xiàn)代CMP拋光機通常配備有自動化上下片系統(tǒng)、自動清洗系統(tǒng)等輔助設(shè)備,能夠?qū)崿F(xiàn)拋光過程的自動化操作。這不僅提高了生產(chǎn)效率,還降低了人工操作帶來的誤差和風(fēng)險。

4 環(huán)保節(jié)能:CMP拋光機在設(shè)計和制造過程中注重環(huán)保和節(jié)能。例如,采用低能耗的電機和傳動系統(tǒng)、優(yōu)化拋光液配方以減少廢液排放等措施,都有助于降低設(shè)備運行過程中的能耗和環(huán)境污染。

綜上所述,CMP拋光機作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的重要設(shè)備之一,具有高精度控制、多工藝兼容、自動化程度高和環(huán)保節(jié)能等特點。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展和進步,CMP拋光機也將不斷升級和完善,為半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展提供更加有力的支持。
 4. 設(shè)備參數(shù)

項目/型號

POLI-400L

大晶圓尺寸

6英寸

拋光盤尺寸

?406mm16inch

拋光盤轉(zhuǎn)速

30~200 RPM

拋光頭轉(zhuǎn)速

30~200 RPM

Wafer壓力

70~500g/cm2 氣囊柔性加壓

往復(fù)式修整系統(tǒng)

可升擺臂式修整系統(tǒng)

摩擦力&溫度監(jiān)測系統(tǒng)

可選配,可增選EPD功能

供液系統(tǒng)方式

蠕動泵,獨立3路通道




CMP

G&P旗下的GNP POLI-PCB系列CMP主要運用于研發(fā),

CMP

GnP POLI-610專為藍寶石等復(fù)合晶圓的CMP工藝開發(fā)而設(shè)計。特

CMP

GNP POLI-762是高通用性12英寸(300mm) CMP工藝而

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