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深圳市矢量科學儀器有限公司

  • 12英寸特種金屬膜層刻蝕設備

    LMEC-300™ 是魯汶儀器針對特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設備，應用于新興存儲器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復雜的金屬疊...
    型號： LMEC-300 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:45:53 對比

  • 12英寸離子束塑形（IBS) 設備

    Pangea®A系列常規(guī)IBS設備由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產生遠離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)...
    型號： Pangea... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:43:05 對比

  • 8英寸離子束塑形（IBS）設備

    Lorem® A 系列常規(guī) IBS 設備，由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產生遠離晶圓空間，起輝不...
    型號： Lorem... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:39:49 對比

  • 8英寸離子束沉積（IBD）設備

    Ganister™ A離子束沉積設備，是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發(fā)的專用產品，在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有...
    型號： Ganister&... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:37:11 對比

  • 12英寸硬掩膜刻蝕設備

    Herent® Chimera® A 金屬硬掩膜刻蝕設備，為針對 12 英寸 IC 產業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（TiN）金屬硬掩膜刻蝕（met...
    型號： Herent... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:34:09 對比

  • 12英寸金屬刻蝕設備

    Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設備，為針對12英寸IC產業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導線互連工藝所開發(fā)的專用產品， 同時也...
    型號： Herent... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:29:23 對比

  • 8英寸硅刻蝕設備

    Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設備是面向8英寸集成電路制造的量產型設備設備由電感耦合等離子體刻蝕腔（ICP etch cham...
    型號： Tebaank&#... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:20:32 對比

  • 8英寸金屬刻蝕設備

    Kessel™ Pishow® M 金屬刻蝕設備為可用于8英寸的IC產線鋁金屬工藝的量產型機臺，基于自有開發(fā)的優(yōu)化設計，保證了優(yōu)異的刻蝕均...
    型號： Kessel... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:13:45 對比

  • 8英寸電感耦合等離子體刻蝕設備

    詳細介紹ICP是一種加工微納結構的8英寸電感耦合等離子體刻蝕設備。具有刻蝕快、選擇比高、各項異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)...
    型號： Pishow... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:09:34 對比

  • 8英寸電感耦合等離子體-深硅刻蝕設備

    Pishow® D 系列深刻蝕設備，是針對8英寸~6英寸產線或科研深硅刻蝕工藝的專用設備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設計，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。...
    型號： Pishow... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 15:58:56 對比

  • 電容耦合等離子體刻蝕（CCP）設備

    詳細介紹CCP腔室適用于制造微納結構的等離子刻蝕技術。在反應離子刻蝕過程中，等離子體中會包含大量的活性粒子，與表面原子產生化學反應，生成可揮發(fā)產物后，隨真空抽氣...
    型號： Haasrode&... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 15:45:18 對比

  • 8英寸電感耦合等離子體化學氣相沉積設備

    Shale® C系列電感耦合等離子體化學氣相沉積設備（ICP-CVD），通過電感耦合（ICP）產生高密度等離子體，并通過電容耦合（CCP）產生偏壓，可...
    型號： Shale... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 15:35:04 對比

  • 8英寸等離子體增強化學氣相沉積設備

    詳細介紹Shale® A系列等離子體增強化學氣相沉積設備（PECVD），通過平行電容板電場放電產生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較...
    型號： Shale... 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 15:30:52 對比

  • 氣相分解金屬沾污收集（VPD）設備

    詳細介紹Seehund® A型氣相分解金屬沾污收集設備（VPD）是專為集成電路制造、大晶圓生產及再生、先導工藝研發(fā)等行業(yè)提供金屬沾污控制方案的產品。由...
    型號： Seehund&#... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 15:19:49 對比
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