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原子層沉積研究設(shè)備
Beneq TFS 200 是有史以來(lái)最靈活的原子層沉積研究平臺(tái)，專(zhuān)為學(xué)術(shù)研究和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計(jì)。Beneq TFS 200 經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)，可最大限度地減少多用戶(hù)...
型號(hào)： TFS 200 所在地：芬蘭參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/10 14:46:09 對(duì)比

原子層沉積研究平臺(tái)
高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)
產(chǎn)品概述：高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由真空反應(yīng)室、上蓋組件、熱絲架、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。設(shè)備...
型號(hào)：線(xiàn)列式PECVD 所在地：沈陽(yáng)市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:34:17 對(duì)比

化學(xué)氣相薄膜沉積
高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)
高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由3個(gè)真空沉積室（分別沉積P、I、N結(jié)）、1個(gè)進(jìn)樣室、1個(gè)中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺(tái)、工作氣路、傳送機(jī)械手、抽...
型號(hào)： Cluster P... 所在地：沈陽(yáng)市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:32:51 對(duì)比

化學(xué)氣相薄膜沉積
低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)LPCVD
低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)LPCVD 簡(jiǎn)介：1. 滿(mǎn)足石墨烯和碳納米管研究的高溫和快速冷卻要求2. 直徑200毫米的石英室3. 內(nèi)部石英管的設(shè)計(jì)便于拆卸和清洗4. 基...
型號(hào)： customize... 所在地：德國(guó) 參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:03:48 對(duì)比

化學(xué)氣相趁機(jī)系統(tǒng)薄膜生長(zhǎng)設(shè)備
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD(1) 應(yīng)用方向：高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途；用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模...
型號(hào)： customize... 所在地：英國(guó) 參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:41:58 對(duì)比

氣相沉積化學(xué)氣相沉積設(shè)備
化學(xué)氣相沉積MOCVD
MOCVD設(shè)備是通過(guò)將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式，經(jīng)載帶氣體送到反應(yīng)室，進(jìn)行熱分解反應(yīng)而生長(zhǎng)出薄膜材料。應(yīng)用方向：Ga2O3,GaN, InP, G...
型號(hào)： customize... 所在地：德國(guó) 參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:38:03 對(duì)比

化學(xué)氣相沉積氣相沉積設(shè)備愛(ài)思強(qiáng)
等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)
PD-200STL是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(300nm/min)等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液...
型號(hào)： PD-200STL 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 13:51:59 對(duì)比

等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)PD-200STL 化學(xué)氣相沉積 SAMCO
等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)
PD-270STLC是一種低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。Samco的液態(tài)源CV...
型號(hào)： PD-270STL... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 13:46:15 對(duì)比

等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)化學(xué)氣相沉積 PD-270STLC SAMCO
等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)
PD-100ST是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏...
型號(hào)： PD-100ST 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 13:45:35 對(duì)比

等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)PD-100ST 化學(xué)氣相沉積 SAMCO
無(wú)針孔薄膜沉積設(shè)備
AL-1無(wú)針孔薄膜沉積設(shè)備通過(guò)交替向反應(yīng)室提供有機(jī)金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應(yīng)沉積薄膜，實(shí)現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量...
型號(hào)： AL-1 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 11:36:36 對(duì)比

AL-1 無(wú)針孔薄膜沉積設(shè)備 SAMCO
縱向式Cat-CVD設(shè)備
縱向式Cat-CVD設(shè)備CCV系列CCV Series是a-Si鍍膜用的縱向式CVD設(shè)備。有30年以上的量產(chǎn)實(shí)績(jī)。在各個(gè)chamber通過(guò)低壓鍍膜，得到高品質(zhì)的...
型號(hào)： CCV系列所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 11:31:40 對(duì)比

縱向式Cat-CVD設(shè)備 CCV系列鍍膜設(shè)備
枚葉式PECVD設(shè)備
枚葉式PECVD設(shè)備CME-200E/400枚葉式PE-CVD設(shè)備CME-200E/400是適用于Si系絕緣膜、barrier膜等成膜的量產(chǎn)用PECVD設(shè)備。
型號(hào)： CME-200E/... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 11:29:22 對(duì)比

枚葉式PECVD設(shè)備鍍膜設(shè)備
Load-lock式Plasma CVD設(shè)備
Load-lock式Plasma CVD設(shè)備 CC-200/400Load-lock式Plasma CVD設(shè)備CC-200/400是小型的使用便利的可對(duì)應(yīng)從研究...
型號(hào)： CC-200/40... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 11:25:49 對(duì)比

CC-200/400 Load-lock式Plasma CVD設(shè)備鍍膜設(shè)備
枚葉式等離子CVD設(shè)備
枚葉式等離子CVD設(shè)備CMD系列CMD系列是用SiH4和TEOS成膜的a-Si膜、氧化硅膜、氮化膜成膜用的枚葉式CVD設(shè)備。
型號(hào)： CMD系列所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 11:18:01 對(duì)比

枚葉式等離子CVD設(shè)備鍍膜設(shè)備 CMD系列
等離子體沉積ALD
等離子體沉積ALD AD-230LP是一種原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機(jī)金屬原料和氧化劑交替供給反應(yīng)室，僅通過(guò)表面反應(yīng)進(jìn)行薄膜沉積...
型號(hào)： AD-230LP 所在地：日本參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 11:14:50 對(duì)比

SAMCO 等離子體沉積等離子體沉積ALD AD-230LP
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開(kāi)式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開(kāi)式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快...
型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 11:00:14 對(duì)比

牛津 PECVD
化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)
PD-220NL 是一種負(fù)載鎖定等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積...
型號(hào)： PD-220NL 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 10:55:35 對(duì)比

化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)PD-220NL SAMCO
化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
PD-3800L 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)。該系統(tǒng)由于采用了大...
型號(hào)： PD-3800L 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 10:43:16 對(duì)比

化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)PD-3800L SAMCO
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
PlasmaPro 800 為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝提供了靈活的解決方案，它采用了緊湊的開(kāi)放式裝載系統(tǒng)?？?..
型號(hào)： PlasmaPro... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 10:40:53 對(duì)比

牛津 PECVD 等離子增強(qiáng)
原子層沉積ALD
Kurt J. Lesker Company （KJLC） ALD150LX™是一種原子層沉積ALD 系統(tǒng)，專(zhuān)為高級(jí)研發(fā) （R&D）應(yīng)用而設(shè)計(jì)。創(chuàng)...
型號(hào)： ALD-150LX... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 10:19:33 對(duì)比

原子層沉積ALD ALD-150LX™KURT.J.LESKER

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