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低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)LPCVD

參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)customized

品牌Angstrom

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地德國(guó)

更新時(shí)間:2024-09-06 15:03:48瀏覽次數(shù):1023次

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低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)LPCVD 簡(jiǎn)介:
1. 滿足石墨烯和碳納米管研究的高溫和快速冷卻要求
2. 直徑200毫米的石英室
3. 內(nèi)部石英管的設(shè)計(jì)便于拆卸和清洗
4. 基片尺寸可達(dá)直徑150毫米
5. 三區(qū)電阻爐,150毫米的均勻溫度區(qū)

1 產(chǎn)品概述:

      低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(LPCVD)是一種在低壓條件下,通過加熱使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并沉積形成穩(wěn)定固體薄膜的技術(shù)。該系統(tǒng)在半導(dǎo)體制造、電力電子、光電子及MEMS等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。LPCVD系統(tǒng)通過精確控制溫度、壓力及氣體流量等參數(shù),能夠在基片表面形成均勻性良好的薄膜,滿足各種工藝需求。

2 設(shè)備用途:

LPCVD系統(tǒng)的主要用途包括:

  1. 薄膜沉積:用于淀積多種薄膜材料,如Poly-Si(多晶硅)、Si3N4(氮化硅)、SiO2(二氧化硅)、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等。這些薄膜在半導(dǎo)體器件、電力電子器件、光電子器件及MEMS結(jié)構(gòu)中起著關(guān)鍵作用。

  2. 半導(dǎo)體制造:在半導(dǎo)體集成電路制造過程中,LPCVD系統(tǒng)用于形成柵極氧化物、表面鈍化層、氮化物應(yīng)力緩沖層、犧牲氧化物層及阻擋氧化物層等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。

  3. 光電子應(yīng)用:在光電子領(lǐng)域,LPCVD系統(tǒng)用于制備光波導(dǎo)、可變折射率層、抗反射層等光學(xué)薄膜,提升器件性能。

3 設(shè)備特點(diǎn)

LPCVD系統(tǒng)具有以下特點(diǎn):

  1. 低壓環(huán)境:在低壓條件下進(jìn)行沉積,有助于減少氣體分子的碰撞和散射,提高薄膜的均勻性和質(zhì)量。

  2. 高精度控制:系統(tǒng)采用先進(jìn)的溫度、壓力及氣體流量控制技術(shù),能夠精確控制沉積過程中的各項(xiàng)參數(shù),確保薄膜的精確性和一致性。

  3. 多用途性:能夠沉積多種薄膜材料,滿足不同工藝需求,具有廣泛的適用性。

  4. 高效性:由于工作壓力低,氣體分子的平均自由程和擴(kuò)散系數(shù)大,可采用密集裝片方式提高生產(chǎn)率。


4
技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn):

1. 滿足石墨烯和碳納米管研究的高溫和快速冷卻要求

2. 直徑200毫米的石英室

3. 內(nèi)部石英管的設(shè)計(jì)便于拆卸和清洗

4. 基片尺寸可達(dá)直徑150毫米 

5. 三區(qū)電阻爐,150毫米的均勻溫度區(qū)

6. 溫度高可達(dá)1000°C

7. 使用節(jié)流型VAT蝶形閥下游壓力控制在50 mTorr500 mTorr之間 

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