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紫外線(xiàn)臭氧清洗機(jī)
UV-300H是一款高性能的緊湊型紫外線(xiàn)臭氧清洗機(jī)。通過(guò)滑動(dòng)抽屜將基材裝入系統(tǒng)中。紫外線(xiàn)照射、高濃度臭氧和階段性加熱的組合，可溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半...
型號(hào)： UV-300H 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:39:31 對(duì)比

紫外線(xiàn)臭氧清洗機(jī)UV-300H SAMCO
紫外線(xiàn)臭氧清洗機(jī)
UV-1是一款緊湊型臺(tái)式紫外線(xiàn)臭氧清洗機(jī)。該系統(tǒng)將紫外線(xiàn)照射、臭氧和平臺(tái)加熱結(jié)合在一起，溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體（GaN、GaAs、InP、SiC...
型號(hào)： UV-1 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:30:45 對(duì)比

紫外線(xiàn)臭氧清洗機(jī)UV-1 SAMCO
等離子清洗設(shè)備
PC-300等離子清洗設(shè)備是一種平行板式等離子清洗機(jī)，用于清洗樣品表面的有機(jī)和無(wú)機(jī)污染。該工藝室允許用戶(hù)安裝多個(gè)電架，架式電配置的靈活性支持從研究到小批量生產(chǎn)的...
型號(hào)： PC-300 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:27:23 對(duì)比

等離子清洗設(shè)備 PC-300 SAMCO
緊湊型刻蝕設(shè)備
RIE-1C是用于半導(dǎo)體芯片故障分析的緊湊型刻蝕設(shè)備?？梢愿咝А⒌蛽p傷地去除鈍化膜。它操作簡(jiǎn)單，樣品放置后只需按一下按鈕就可以完成整個(gè)過(guò)程。可以放在桌面上，也可...
型號(hào)： RIE-1C 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:24:47 對(duì)比

緊湊型刻蝕機(jī)RIE-1C SAMCO
RIE等離子刻蝕設(shè)備
RIE-300NR是一種理想的RIE等離子刻蝕設(shè)備，適用于加工ø300mm晶圓和多晶圓（ø3“×12，ø4“×...
型號(hào)： RIE-300NR 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:19:00 對(duì)比

RIE等離子刻蝕設(shè)備 RIE-300NR SAMCO
RIE等離子刻蝕設(shè)備
RIE-200C RIE等離子刻蝕設(shè)備是在擁有豐富交貨業(yè)績(jī)的CCP RIE系統(tǒng) “RIE-10NR “的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)的量產(chǎn)型盒式裝載系統(tǒng)。該系統(tǒng)可對(duì)Si、Poly...
型號(hào)： RIE-200C 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:14:14 對(duì)比

RIE等離子刻蝕設(shè)備 RIE-200C SAMCO
等離子體刻蝕設(shè)備
高密度等離子體刻蝕設(shè)備采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復(fù)性和穩(wěn)定性。
型號(hào)： RIE-800iP 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:03:35 對(duì)比

等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備 RIE-800iP SAMCO
RIE等離子刻蝕設(shè)備
RIE-10NR是一種新型的低成本、高性能的全自動(dòng)RIE等離子刻蝕設(shè)備，它能滿(mǎn)足非腐蝕性氣體化學(xué)苛刻的工藝要求。計(jì)算機(jī)化的觸摸屏為參數(shù)控制和存儲(chǔ)提供了一個(gè)用戶(hù)友...
型號(hào)： RIE-10NR 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:55:21 對(duì)比

RIE等離子刻蝕設(shè)備 RIE-10NR SAMCO
等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式，等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的負(fù)載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過(guò)采用龍卷風(fēng)式線(xiàn)圈電...
型號(hào)： RIE-230iP 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:32:42 對(duì)比

等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備 RIE-230iP SAMCO
等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
RIE-400iP是用于ø4 “晶圓的負(fù)載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備可對(duì)各種半導(dǎo)體和絕緣膜進(jìn)行高精度、高均勻性加工。采用龍卷風(fēng)線(xiàn)圈的電...
型號(hào)： RIE-400iP 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:30:06 對(duì)比

等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備 RIE-400iP SAMCO
等離子體刻蝕設(shè)備
高密度等離子體刻蝕設(shè)備系統(tǒng)采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復(fù)性和穩(wěn)定性。
型號(hào)： RIE-800iP... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:25:32 對(duì)比

等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備 SAMCO RIE-800iPC
深硅刻蝕設(shè)備
RIE-802BCT深硅刻蝕設(shè)備是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個(gè)反應(yīng)室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標(biāo)準(zhǔn)配置有空氣盒和晶圓邊緣保護(hù)環(huán)，以及高精度的晶圓對(duì)準(zhǔn)器。該高...
型號(hào)： RIE-802BC... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:09:17 對(duì)比

深硅刻蝕設(shè)備 RIE-802BCT SAMCO
深硅刻蝕設(shè)備
RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅DRIE系統(tǒng)。這種高性能系統(tǒng)能夠進(jìn)行高縱橫比處理（超過(guò)100）和低扇形處理，同時(shí)保持高蝕刻率和選...
型號(hào)： RIE-800BC... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:01:59 對(duì)比

深硅刻蝕設(shè)備 RIE-800BCT SAMCO
電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備
Samco 的 RIE-800iPB 是一種電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備，使用高密度等離子體進(jìn)行 MEMS 和 TSV 應(yīng)用所需的深度硅蝕刻。RIE-800iPB是...
型號(hào)： RIE-800iP... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 13:57:32 對(duì)比

深硅刻蝕設(shè)備 RIE-800iPB SAMCO
等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)
PD-200STL是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(300nm/min)等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液...
型號(hào)： PD-200STL 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 13:51:59 對(duì)比

等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)PD-200STL 化學(xué)氣相沉積 SAMCO
等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)
PD-270STLC是一種低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。Samco的液態(tài)源CV...
型號(hào)： PD-270STL... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 13:46:15 對(duì)比

等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)化學(xué)氣相沉積 PD-270STLC SAMCO
等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)
PD-100ST是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏...
型號(hào)： PD-100ST 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 13:45:35 對(duì)比

等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)PD-100ST 化學(xué)氣相沉積 SAMCO
無(wú)針孔薄膜沉積設(shè)備
AL-1無(wú)針孔薄膜沉積設(shè)備通過(guò)交替向反應(yīng)室提供有機(jī)金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應(yīng)沉積薄膜，實(shí)現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量...
型號(hào)： AL-1 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 11:36:36 對(duì)比

AL-1 無(wú)針孔薄膜沉積設(shè)備 SAMCO
等離子體沉積ALD
等離子體沉積ALD AD-230LP是一種原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機(jī)金屬原料和氧化劑交替供給反應(yīng)室，僅通過(guò)表面反應(yīng)進(jìn)行薄膜沉積...
型號(hào)： AD-230LP 所在地：日本參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 11:14:50 對(duì)比

SAMCO 等離子體沉積等離子體沉積ALD AD-230LP
化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)
PD-220NL 是一種負(fù)載鎖定等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積...
型號(hào)： PD-220NL 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 10:55:35 對(duì)比

化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)PD-220NL SAMCO

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