1 產品概述:

Load-lock式Plasma CVD設備是一種集等離子體發(fā)生、薄膜沉積和Load-lock技術于一體的先進設備。它通常包括反應室、等離子體發(fā)生器、真空系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)以及Load-lock腔室等關鍵部件。在設備運行過程中，通過Load-lock腔室實現(xiàn)樣品在真空環(huán)境和外界環(huán)境之間的快速切換，減少外界污染對樣品的影響，同時提高生產效率。

2 設備用途：

Load-lock式Plasma CVD設備廣泛應用于半導體制造、材料科學、光學薄膜制備、太陽能電池生產等多個領域。其主要用途包括：

1. 薄膜沉積：利用等離子體中的高能粒子促進化學反應，在基底表面沉積高質量的薄膜材料，如氧化物、氮化物、碳化物等。

2. 材料改性：通過等離子體處理改善材料的表面性能，如提高附著力、降低摩擦系數(shù)、增加耐腐蝕性等。

3. 多層膜制備：結合其他工藝，如光刻、刻蝕等，制備具有復雜結構和功能的多層膜材料。

3 設備特點

  高效性：等離子體中的高能粒子能顯著加速化學反應，提高薄膜的沉積速率和生產效率。

  高質量：通過精確控制等離子體參數(shù)和工藝條件，可以制備出高質量、高純度的薄膜材料。

  靈活性：適用于多種材料的薄膜制備，且可通過調整工藝參數(shù)實現(xiàn)薄膜性質的精確調控。

  環(huán)保性：相比傳統(tǒng)化學沉積方法，等離子CVD設備在制備過程中不需要使用有害的化學試劑，減少了環(huán)境污染。

  Load-lock技術：采用Load-lock腔室設計，實現(xiàn)了樣品在真空環(huán)境和外界環(huán)境之間的快速切換，減少了外界污染對樣品的影響，同時提高了生產效率。
4 技術參數(shù)和特點：

•27.12MHz高密度等離子制程

•SiH4系：SiO2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS系：可對應SiO2膜

•以CF4+O2 Plasma實現(xiàn)腔體清潔功能

•可對應有機EL（OLED）的低溫成膜用heater

•使用Tray可搬送多種基板尺寸

•通過使用真空Box實現(xiàn)C系列的間接連續(xù)制程（Sputter: CS-200, Evaporation: CV-200）