1. 產(chǎn)品概述
提供深硅蝕刻(DSiE)領(lǐng)域的MEMS,封裝和納米技術(shù)的廣泛應(yīng)用,從光滑側(cè)壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕,不需要更換腔室硬件就可以實現(xiàn)。百科:深硅刻蝕系統(tǒng)的原理既包括利用等離子體中的活性粒子進行物理和化學作用的等離子體刻蝕技術(shù),也包括通過化學反應(yīng)去除材料的濕法刻蝕技術(shù)。
2. 設(shè)備特點
光滑側(cè)壁工藝;
高刻蝕速率腔刻蝕;
高深寬比工藝;
錐形通孔刻蝕;
機械或靜電壓盤,加熱內(nèi)襯;
延長了兩次清洗間的平均時間間隔(MTBC)環(huán)形激光陀螺反射鏡;
X射線光學系統(tǒng);
紅外(IR)傳感器;
II-VI族材料,通信濾波器。