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深圳市矢量科學儀器有限公司

離子注入設備

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產品型號SOPHI-400

品牌ULVAC/日本愛發(fā)科

廠商性質經銷商

所在地國外

更新時間:2024-09-06 11:12:16瀏覽次數(shù):564次

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高能對應離子注入設備SOPHI-400

可達2400KeV的高能離子注入設備。

1 產品概述:

      離子注入設備,又稱為離子注入機,是半導體制造中的關鍵設備之一。它通過將可控數(shù)量的離子(如硼、磷、砷等)加速并注入到半導體材料(如硅片)的特定區(qū)域,以改變其電學性能,實現(xiàn)摻雜的目的。離子注入技術具有精確控制摻雜深度、濃度和橫向分布的能力,是現(xiàn)代集成電路制造中一環(huán)。

離子注入設備主要由離子源、離子引出和質量分析器、加速管、掃描系統(tǒng)和工藝腔等部分組成。離子源負責產生所需的離子,經過質量分析器篩選后,由加速管加速至幾百千電子伏特的能量,最后通過掃描系統(tǒng)均勻地注入到硅片表面。工藝腔則提供了一個真空環(huán)境,確保離子注入過程的順利進行。

2 設備用途:

離子注入設備在半導體制造領域具有廣泛的用途,主要包括以下幾個方面:

  1. 集成電路制造:在制造集成電路的過程中,離子注入技術用于形成晶體管的源極、漏極和溝道等關鍵區(qū)域,以及實現(xiàn)電路的隔離和互聯(lián)。

  2. 金屬材料表面改性:通過離子注入技術,可以在金屬材料表面形成一層具有特殊性能的改性層,如提高耐磨性、耐腐蝕性和硬度等。

  3. 薄膜制備:離子注入技術還可以用于制備具有特定性能的薄膜材料,如超導薄膜、光學薄膜等。

3 設備特點

離子注入設備具有以下幾個顯著特點:

  1. 精確控制:離子注入技術可以精確控制摻雜離子的種類、數(shù)量、深度和橫向分布,滿足集成電路制造中對摻雜精度的要求。

  2. 低溫處理:與傳統(tǒng)的熱擴散工藝相比,離子注入技術可以在較低的溫度下進行,避免了高溫處理對半導體材料性能的影響。

  3. 廣泛應用:離子注入技術不僅應用于半導體制造領域,還擴展到金屬材料表面改性、薄膜制備等多個領域。

4 技術參數(shù)和特點:

基板尺寸:Max200mm

大能量:2400 keV

枚葉式

可對應薄片Wafer

平行Beam


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