產(chǎn)品概述：
系統(tǒng)主要由3個真空沉積室（分別沉積P、I、N結(jié)）、1個進(jìn)樣室、1個中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺、工作氣路、傳送機(jī)械手、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。
設(shè)備用途：
團(tuán)簇型等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在光學(xué)玻璃、硅片、石英、不銹鋼片等不同襯底材料上，沉積氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧化硅等薄膜，可以制備非晶硅、微晶硅薄膜太陽能電池器件。
真空室結(jié)構(gòu):
1個中央傳輸室：蝶形結(jié)構(gòu)；3個沉積室：方形結(jié)構(gòu)； 1個進(jìn)樣室：方形結(jié)構(gòu)
真空室尺寸:
中央傳輸室：Φ1000×280mm ； 沉積室：260×260×280mm ；進(jìn)樣室：300×300×300mm
極限真空度:
中央傳輸室：6.67E-4 Pa；沉積室：6.67E-6 Pa ；進(jìn)樣室：6.67 Pa
沉積源:
樣品尺寸，溫度:
114X114X3mm， 加熱溫度350度，機(jī)械手傳遞樣品
占地面積（長x寬x高）:
約13米x9米x2.3米（設(shè)計待定）
電控描述:
全自動
工藝:
在80X80mm范圍內(nèi)硅膜的厚度均勻性優(yōu)于±5%
特色參數(shù) :
共有8路工作氣體
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