1.產(chǎn)品概述：

TFS 200 是一款適用于科學(xué)研究和企業(yè)研發(fā)的靈活的 ALD 平臺(tái)。 TFS 200 是為多用戶(hù)研究環(huán)境中將可能發(fā)生的交叉污染降至低而特別設(shè)計(jì)的。

TFS 200 不僅可以在晶圓，平面物體上鍍膜，還適用于粉末，顆粒，多孔的基底材料，或是有高深徑比的3D物體內(nèi)沉積高保形薄膜。                      

直接和遠(yuǎn)程等離子體沉積 (PEALD) 可作為 TFS 200 的標(biāo)準(zhǔn)選項(xiàng)。等離子體是電容性耦合(CCP)，這是當(dāng)?shù)墓I(yè)標(biāo)準(zhǔn)。等離子體選件可為直徑200毫米的基板（面朝上或面朝下）提供直接和遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)沉積 (PEALD)

2.設(shè)備用途/原理：

設(shè)備用途

原子層沉積（ALD）設(shè)備主要用于半導(dǎo)體制造、光電子、納米技術(shù)和材料科學(xué)等領(lǐng)域。它廣泛應(yīng)用于制造高性能電子器件、光電材料、薄膜電池、傳感器和催化劑等，能夠在復(fù)雜結(jié)構(gòu)上沉積均勻且高質(zhì)量的薄膜。

工作原理

ALD 設(shè)備通過(guò)交替引入兩種或多種氣相前驅(qū)體和反應(yīng)氣體，以原子層的方式在基材表面沉積薄膜。每個(gè)前驅(qū)體分子在基材表面吸附并反應(yīng)，形成一層薄膜，然后多余的前驅(qū)體和反應(yīng)產(chǎn)物被清除，接著引入下一種氣體。這個(gè)過(guò)程持續(xù)進(jìn)行，直到達(dá)到所需的薄膜厚度。由于每一層的沉積都受到嚴(yán)格控制，ALD 技術(shù)能實(shí)現(xiàn)極薄膜層的精確沉積，通常在納米級(jí)別，確保薄膜的均勻性和致密性。

3.主要技術(shù)指標(biāo)：

循環(huán)周期小于2。在特定的條件下可以小于1。

高深徑比(HAR)選項(xiàng)適用于通孔和多孔的基底材料。

可快速加熱和冷卻的冷壁真空反應(yīng)腔。

安裝在真空反應(yīng)腔的輔助接口可實(shí)現(xiàn)等離子體和在線(xiàn)診斷等。

加載鎖可用于快速更換基底材料并與其他設(shè)備集成。