改良后的硅芯爐設(shè)計采用兩個直徑約為50毫米的源桿，并可以從每個源桿上拉出硅芯。
產(chǎn)品數(shù)據(jù)概覽:
材料：硅
細桿
長度： 最長3200毫米
直徑： 大約8毫米
源桿
長度： 最長 1,000 mm
直徑： 100 mm (4")
極限真空度： 5 x 10-2 mbar
最大過壓： 0.35 bar(g)
發(fā)電機
輸出電壓： 30 kW
頻率： 2.8 MHz
上拉式進料
拉動速度： 最高60毫米/分鐘
下拉式進料
拉動速度： 最高 10 mm/min
轉(zhuǎn)速： 高達 20 rpm
尺寸規(guī)格
高度： 7,300 mm
寬度： 1,820 mm
深度: 1,250 mm
占地面積（總計）： 2,500 mm x 2,800 mm
重量（總計）： 約6,000 kg
區(qū)熔（FZ）技術(shù)作為提純方法為生產(chǎn)高電阻率的超純硅單晶提供了技術(shù)可行性，該技術(shù)可應(yīng)用于高性能電子和半導體技術(shù)領(lǐng)域。其另一優(yōu)點是可以從氣相中連續(xù)摻入，這使得在整個晶體的電阻率沿長度方向保持一致。因此，幾乎可以在整個晶體上均勻地實現(xiàn)所需的電性能。由于電荷載流子的高壽命和極低的氧含量（無坩堝工藝），FZ晶體同樣也適用于光伏行業(yè)。
區(qū)熔（FZ）技術(shù)作為提純方法與CZ直拉工藝等競爭方法相比，FZ工藝的優(yōu)勢在于只有緊鄰感應(yīng)線圈的一小部分晶體需要被熔化，無需使用石英坩堝（每爐次耗用一個），可實現(xiàn)高拉速，因此降低了耗材成本的同時也降低了能源成本。此外，無論是從硅還是其他合適的材料中提取的晶體，可以通過多次處理，顯著地提高純度。
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