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PIE 代表 Plasma ，Ion ，ElectronPIE 專業(yè)致力于等離子刻蝕，清洗，表面處理和離子，電子束產(chǎn)品的應用。PIE INC 成立于等離子研究小...

NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導致靶物質(zhì)快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質(zhì)由容易逃出與電離的核素組成。...

MicroVacuum是源于匈牙利的品牌。

ECOPIA公司的HMS系列霍爾效應測量系統(tǒng)主要由恒電流源、范德堡法則終端轉(zhuǎn)換器、低溫（77K）測量系統(tǒng)及磁場強度輸入系統(tǒng)組成，擁有研究半導體材料霍爾效應所有的...

霍爾效應測試儀主要用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)、導電類型等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測...

兆聲晶圓清洗機：First-Nano 兆聲單晶圓及掩模版清洗機提供高可重復性、高均勻性及*進的兆聲清洗。它可以在一個工藝步驟中包含了的無損兆聲清洗、化學試劑清洗...

NPD-4000（A）全自動PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導致靶物質(zhì)快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質(zhì)由容易逃出與電離的核素...

NMC-4000PAMOCVD等離子輔助MOCVD：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)...

NMC-3000 PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝...

NMC-4000（M）PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓...

NMC-4000（A）全自動PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有...

NLD-4000（ICPA）全自動PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于...

NLD-4000NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積...

NPE-4000PECVD等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)：能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到Z大可達12“ 直徑的基片上.采用淋浴頭電極或中空...

NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或...

NPE-4000（M） PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭...

NPE-3000 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或...

NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋...

NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片...

NPE-4000（ICPA）全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6“ 基片...