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倒片機
WS-ALN100/150 倒片機，晶圓全自動取放，人工替代，良好控制顆粒。
型號： WS-ALN100... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:40:47 對比

WS-ALN100/150 倒片機北方華創(chuàng)
倒片機
WS-PE100/150 倒片機，晶圓全自動取放，人工替代，良好控制顆。
型號： WS-PE100/... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:34:54 對比

WS-PE100/150 倒片機北方華創(chuàng)
8英寸多片硅外延系統(tǒng)
SES系列 8英寸多片硅外延系統(tǒng)為單腔多片式硅外延設(shè)備，適用于4、5、6、8英寸的硅外延工藝。SES系列反應(yīng)腔室采用多片平板式的結(jié)構(gòu)，配合感應(yīng)加熱的方式實現(xiàn)高質(zhì)...
型號： SES系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:25:47 對比

SES系列 8英寸多片硅外延系統(tǒng)多片硅外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)
Esther/Eris 系列 8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)，傳輸系統(tǒng)和工藝模塊設(shè)計可兼容多種工藝用途，友好的人機交互和安全性設(shè)計保障系統(tǒng)穩(wěn)定、安全、高效，具有...
型號： Esther/Er... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:20:14 對比

Esther/Eris 系列 8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)
Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)，多區(qū)紅外加熱協(xié)同激光微區(qū)補償，溫場均勻可控。
型號： Hesper Ⅱ ... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:15:58 對比

Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)減壓選擇性外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)
Hesper E230A 12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)，優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計提供優(yōu)良的工藝性能。
型號： Hesper E2... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:09:06 對比

單片常壓硅外延系統(tǒng)Hesper E230A 單片常壓硅外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)
Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)，優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計提供優(yōu)良的工藝性能。
型號： Hesper I ... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:03:21 對比

Hesper I E430R 外延系統(tǒng)
碳化硅外延系統(tǒng)
MARS iCE115碳化硅外延系統(tǒng)主要用于4、6英寸SiC外延工藝。采用水平熱壁式技術(shù)路線，應(yīng)用優(yōu)良的控溫、控壓算法和專業(yè)的進氣、混流結(jié)構(gòu)，使得整個外延工藝過...
型號： MARS iCE1... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:59:21 對比

碳化硅外延系統(tǒng)MARS iCE115
多片碳化硅外延系統(tǒng)
MARS iCE120 多片碳化硅外延系統(tǒng)，產(chǎn)能大，6 英寸運營成本低,薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高。
型號： MARS iCE1... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:54:15 對比

多片碳化硅外延系統(tǒng)MARS iCE120
12英寸單片快速熱退火系統(tǒng)
Sitara TA230A 12英寸單片快速熱退火系統(tǒng)，適用于 260-1200℃快速熱處理工藝。
型號： Sitara TA... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:48:12 對比

12英寸單片快速熱退火系統(tǒng)Sitara TA230A 北方華創(chuàng)
碳化硅快速熱退火系統(tǒng)
Pallas A220 碳化硅快速熱退火系統(tǒng)，加熱分區(qū)設(shè)計，具備良好的溫度均勻性。
型號： Pallas A2... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:36:30 對比

Pallas A220 碳化硅快速熱退火系統(tǒng)北方華創(chuàng)
感應(yīng)式碳化硅長晶爐
APS系列感應(yīng)式碳化硅長晶爐，適用于 6 英寸、8 英寸，導(dǎo)電 / 高純半絕緣型 SiC 晶體生長。
型號： APS系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:30:49 對比

感應(yīng)式碳化硅長晶爐 APS系列
電阻式碳化硅長晶爐
AGF系列電阻式碳化硅長晶爐，適用于 6、8 英寸，導(dǎo)電 / 高純半絕緣型 SiC 晶體生長。
型號： AGF系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:27:53 對比

電阻式碳化硅長晶爐 AGF系列北方華創(chuàng)
8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)
eVictor系列 8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)，加熱基座設(shè)計，具備良好的溫度均勻性，高溫厚鋁工藝連續(xù)作業(yè)無累溫。
型號： eVictor系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:18:26 對比

eVictor系列 8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)北方華創(chuàng)
CCP介質(zhì)刻蝕機
NMC 508系列 CCP介質(zhì)刻蝕機，多頻解耦設(shè)計，實現(xiàn)優(yōu)異的均勻性及高深寬比介質(zhì)刻蝕。
型號： NMC 508系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:13:55 對比

CCP介質(zhì)刻蝕機 NMC 508系列北方華創(chuàng)
熱原子層沉積系統(tǒng)
Scaler HK430 熱原子層沉積系統(tǒng)，填孔能力以及良好的薄膜均勻性,腔室結(jié)構(gòu)設(shè)計，具備良好的防酸腐蝕能力。
型號： Scaler HK... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:08:14 對比

熱原子層沉積系統(tǒng)Scaler HK430 北方華創(chuàng)
立式/臥式管舟清洗設(shè)備
Bpure系列立式/臥式管舟清洗設(shè)備，全自動清洗，浸泡式清洗與噴淋式清洗工藝可選。
型號： Bpure系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:01:28 對比

立式/臥式管舟清洗設(shè)備 Bpure系列北方華創(chuàng)
ICP 刻蝕機
NMC 508系列 ICP刻蝕機是電感耦合高密度等離子體（Inductively Coupled Plasma, ICP）干法刻蝕機，具有高精度、高選擇性和高效...
型號： NMC 508系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 9:58:11 對比

ICP刻蝕機 NMC 508系列北方華創(chuàng)
深硅刻蝕機
深硅刻蝕機HSE P300主要用于12英寸硅刻蝕。采用Cluster結(jié)構(gòu)布局，能夠減小占地，提升產(chǎn)能。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、灰區(qū)部件、電源柜等組成?？蓪?..
型號： HSE系列所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2024/9/4 15:25:22 對比

HSE 深硅刻蝕機北方華創(chuàng)
12英寸槽式清洗設(shè)備
12英寸槽式清洗設(shè)備Pinnacle300平臺適用于集成電路、功率半導(dǎo)體、襯底材料、硅基微顯示領(lǐng)域的清洗工藝。該機臺主要由傳輸模塊、工藝模塊、藥液供給系統(tǒng)、電源...
型號： Pinnacle3... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/4 15:03:36 對比

Pinnacle300 12英寸槽式清洗設(shè)備北方華創(chuàng)

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