一、產(chǎn)品簡介：

CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式，實(shí)現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)，科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護(hù)，處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。具體包括：

1.介電材料（SiO2、SiNx等）

2.硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

3.III-V材料（GaAs、InP、GaN等）

4.濺射金屬（Au、Pt、Ti、Ta、W等）

5.類金剛石（DLC）      

二、RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī) 產(chǎn)品特點(diǎn)

1.7寸彩色觸摸屏互動操作界面，圖形化用戶操作界面顯示，自動監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài)，20個配方程序，可存儲、輸出、追溯工藝數(shù)據(jù)，機(jī)器運(yùn)行、停止提示。

2. PLC工控機(jī)控制整個清洗過程，手動、自動兩種工作模式。

3. 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì)，耐腐蝕無污染。

4. 采用防腐數(shù)字流量計，實(shí)現(xiàn)對氣體輸入精準(zhǔn)控制。標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng)，可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)，氣體分配均勻?？奢斎胙鯕狻鍤?、氮?dú)狻⑺姆?、氫氣或混合氣等氣體。

5. 采用花灑式多孔進(jìn)氣方式，改變傳統(tǒng)等離子清洗機(jī)單孔進(jìn)氣不均勻問題。

6. HEPA高效過濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。

7. 符合人體功能學(xué)的60度傾角操作界面設(shè)計，操作方便，界面友好。

8. 采用頂置真空倉，上開蓋設(shè)計，下壓式鉸鏈開關(guān)方式。

9. 上置式360度水平取放樣品設(shè)計，符合人體功能學(xué)，操作更方便。

10. 有效處理面積大，可處理最大直徑200mm晶元硅片。

11. 安全保護(hù)，倉門打開，自動關(guān)閉電源。

三、技術(shù)參數(shù)