1. 產(chǎn)品概述：
MLA 300 無掩模光刻機 提供高吞吐量、簡化的工作流程以及與制造執(zhí)行系統(tǒng) （MES） 的集成。該工具用于生產(chǎn)傳感器和傳感器 IC、MEMS 和微流體器件。其他應(yīng)用包括分立電子元件、模擬和數(shù)字 IC、ASIC、電力電子、OLED 顯示器和先進封裝。
MLA 300 可實現(xiàn)高的光學(xué)質(zhì)量和精度。標(biāo)準曝光模塊的小特征尺寸為 1.5 μm。實現(xiàn)更高吞吐量和更高分辨率的寫入模式正在我們的路線圖上。MLA 300 具有自動化功能，具有可定制的裝載選項、為生產(chǎn)環(huán)境設(shè)計的軟件以及獲得基材跟蹤技術(shù)。
MLA 300 克服了口罩采購、驗證和管理的要求，從而降低了生產(chǎn)成本和工作量。長壽命曝光激光器（24/7 全天候生產(chǎn)估計為 10 年）和較少的耗材可提高運營成本。模塊化設(shè)計可實現(xiàn)快速維護、更換或維修。實時自動對焦可補償基材翹曲或波紋，確保無瑕的圖案。無掩模光刻技術(shù)允許對每個芯片進行圖案校正和序列化，以全面跟蹤產(chǎn)品特性，例如傳感器校準。
| 具體參數(shù) | |
|---|---|
| 最小行數(shù)和間距 [μm] | 2 |
| 最小特征尺寸 [μm] | 1.5 |
| CD均勻度 [3σ， nm] | 200 |
| 邊緣粗糙度 [3σ， nm] | 80 |
| 拼接 [3σ， nm] | 120 |
| 第 2 層對準 [3σ， nm] | 500 |
| 背面對準 [3σ， nm] | 1000 |
| 每個模塊的曝光時間（100 x 100 mm2 80 mJ/cm2 和 405 nm 激光波長） | 2.75 分鐘 |
| 一個模塊的最大寫入速度 405 nm 激光波長 | 4615 平方毫米/分鐘 |
| 系統(tǒng)特點 | |
|---|---|
| 光源 | 375 nm 或 405 nm 的高功率二極管激光器 |
| 最大基板尺寸 | 300 x 300 平方毫米 |
| 最大曝光面積 | 300 x 300 平方毫米 |
| 基板厚度 | 0.1 - 10 毫米 |
| 模塊化環(huán)境試驗箱 | 溫度穩(wěn)定性±0.1°C |
| 實時自動對焦 | 光學(xué)和/或氣動自動對焦 |
| 自動對焦動態(tài)范圍 | 高達 150 μm |
| 對準 | 高級對準;背面對齊可選 |
| 自動化 | 自動晶圓處理和預(yù)對準 |
| 系統(tǒng)尺寸（不包括裝載機） | |
| 高度 × 寬度 × 深度 | 1980 毫米 x 1200 毫米 x 2310 毫米 |
| 重量 | 2600 千克 |
| 安裝要求 | |
| 電氣 | 400 伏交流電，50/60 赫茲，16 安 |
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